扩产

ChainCatcher 消息，据 Money Today 9 月 21 日报道，三星电子因 HBM 市场增长正推进晶圆代工先进制程产能扩张，为应对 HBM4 基座芯片需求上升正在评估 4 纳米制程扩产。三星 HBM4 由 10 纳米级 6 代（1c）DRAM 核心芯片与 4 纳米逻辑基座芯片组成，基座芯片负责与 GPU 等 AI 加速器高速交换数据。与 SK 海力士采用台积电 12 纳米不同，三星对 HBM4 基座芯片使用自有 4 纳米制程。该产线已满负荷运转并承接英伟达 Groq 3 LPU 等订单，公司近期上调了 4 纳米新订单及 HBM4 基座芯片报价。三星预计第三季度 HBM4 营收环比增逾 3 倍，下半年 HBM 营收中 HBM4 占比将明显高于 60%。平泽 P4 追加扩产大部分将用于 HBM 用 1c DRAM，晶圆代工 4 纳米产能一半以上已分配给 HBM4 基座芯片。HBM4E 同样采用 4 纳米基座芯片，三星已于 5 月向客户提供样品。公司还在评估为 HBM5 建设 2 纳米新产线，目标以 GAA 结构 2 纳米制程并提高 TSV 密度，使运行速度较 HBM4E 提升 50% 以上。三星去年下半年启动 2 纳米第一代量产，今年下半年推进第二代产品。花旗预计明年全球 HBM 比特需求达 752 亿 Gb、同比增 62%，供应约 594 亿 Gb、缺口约 21%；

ChainCatcher 消息，英国央行连续第六次会议将政策利率维持在 3.75% 不变，并宣布取消长期国债出售计划。宁德时代拟出资 14 亿元在雅安新建年产 4 万吨碳酸锂项目，华为同步发布全新计算架构。

ChainCatcher 消息，中国最大 DRAM 厂商长鑫存储 CXMT 近日启动上海新厂合作商设备招标，并推进多地产能扩张。CXMT 目前在合肥二期、北京一期量产 DRAM，产能估约每月 20 万片中段，年底或超过每月 30 万片。CXMT 计划今年四季度开上海新厂，相关设备招标已启动。半导体设备业人士称，该厂拟分两阶段扩建，产能将显著超过每月 10 万片。随后计划明年上半年开合肥新厂、最早明年下半年开北京新厂，后年上半年再开合肥新厂。设备业人士称，CXMT 已与多方沟通多地建厂时点。若计划全部落地，CXMT 今年至 2028 年每年可新增至少每月 7 万至 8 万片产能，长期或超每月 60 万片。三星电子与 SK 海力士 DRAM 产能分别估约每月 70 万片、60 万片。

ChainCatcher 消息，台积电、美光等企业加码资本支出扩产，带动半导体厂务工程五强汉唐、亚翔、帆宣、洋基、圣晖合计在手订单已逾 8800 亿元，创新高。台积电日前在半导体展表示，建置中晶圆厂高达 20 座，整体产能建置规模较过去倍数增加，但仍无法满足客户需求。美国关税政策带动美国制造建厂需求。亚翔在手订单金额 4400.73 亿元为最多，董事长姚祖骧指出近四年来在新加坡承接统包案累计金额上看 6000 亿元，后续可望再接新案。汉唐在手订单金额约 1939.37 亿元续创新高，受惠于台积电、美光等大客户持续建厂。帆宣在手订单金额 1351 亿元新高，董事长高新明透露订单能见度至少到 2028 年，客户端在 2029 年、2030 年相关专案已进入规划，帆宣已部署材料、人力及在地施工团队支援客户在台湾、美国亚利桑那、日本及德国同步扩产需求，并投入 CoPoS 等技术发展。圣晖在手订单金额超过 600 亿元，台湾占比 68%，半导体订单占比 63%，上半年税后纯益 29.44 亿元，每股纯益 23.73 元，创同期新高。洋基上半年税后纯益 23.17 亿元，每股纯益 17.46 元，在手订单金额约 517.7 亿元，订单能见度达 2027 年底。

ChainCatcher 消息，据工商时报报道，在 AI 带动存储器及先进封装需求长期成长下，华邦电提前启动高雄路竹厂扩产规划，将原定二、三期整并为 Module B 同步开发，预计 2027 年动工兴建无尘室，最快 2029 年初开始装机，并依客户需求预测及 LTA 分阶段导入设备。目前已有客户提前洽谈 2029 年、2030 年产能。法人指出，华邦电第三季利基型 DRAM 与 SLC NAND 供不应求，价格季涨幅估约 50%；NOR Flash 受惠云端服务供应商大客户备货，价格季涨幅估约 30%。第四季存储器价格涨幅估收敛至 2% 至 5%，但受惠 DRAM 产能增加及出货量成长，营收及获利仍可维持季增。华邦电第二季合并营收 598.43 亿元，季增 56.4%、年增 184.7%，DRAM 价格季增约 100%、Flash 上涨约 43%，合并毛利率升至 66.2%，每股税后纯益 5.40 元。Module B 产品规划涵盖 Standard DRAM、CUBE DRAM、Wafer-on-Wafer（WoW）及硅电容（Si-Cap），将支持 14 纳米及未来 12 纳米 DRAM 制程，后续亦规划导入 EUV 设备。

ChainCatcher 消息，据 DIGITIMES 报道，英伟达下一代 AI 平台 Feynman 的量产时间目标锁定在 2028 年下半年，将采用台积电 A16 制程，并导入 SoIC 3D 堆叠及 CPO 技术。Rubin 世代以多颗小芯片与 HBM 整合为主，Feynman 则进一步向 3D 小芯片、SoIC 及 CPO 方向发展。报道指出，台积电正加速推进相关产能建设，原规划 2026 年底 SoIC 月产能达 2 万片，目前最新目标已上调至 2027 年底达 5 万片。 台积电嘉义 AP7 与南科 AP8 的建厂进度同步加快，其中 AP7 共规划 8 个阶段，P1、P2 已进入装机，P3、P4 已取得建照，P5 至 P8 持续规划中。该厂除量产苹果专用的 WMCM 外，后续将依客户需求配置 SoIC、CoPoS 及 CPO 相关产线。英伟达已将研发与供应链资源快速转向 Feynman 平台，台积电先进封装订单外溢效应持续扩大，矽品已成为承接英伟达 CoWoS 与 CPO 订单的主力封测厂。英伟达 Feynman 平台的 NVLink 互连带宽预计突破 1 PB/s，较 Rubin Ultra 的 520 TB/s 进一步提升。台积电的 COUPE 技术通过 SoIC 将 EIC 与 PIC 进行 3D 整合形成光引擎，将光电转换由传统电路板推进至封装架构内部。2026 年以来，英伟达已投入超 400 亿美元布局 AI 生态，涵盖模型、晶圆制造、数据中心及光通讯等领域。

ChainCatcher 消息，据日经亚洲报道，日本光纤电缆制造商藤仓（Fujikura）宣布将在日本及美国合计投资最高 3000 亿日元（约 19 亿美元），计划将光纤电缆产能扩大至现有规模的三倍，以应对人工智能数据中心建设带来的旺盛需求。此次投资是日本材料企业响应日美经济合作协议、加速在美布局的系列行动之一。与此同时，日本多家企业亦在积极跟进 AI 基础设施相关投资，包括 JX 先进金属扩大 AI 材料产能、日本推动建设本土 AI 芯片生态系统等。