量产

ChainCatcher 消息，据 ZDNet Korea 9 月 28 日报道，三星电子正加快平泽第五园区（P5）首条量产线（Ph1）建设，并与主要设备厂商讨论将 Ph1 设备搬入目标从原定明年三季度提前至明年二季度。P5 是以 2028 年投产为目标的下一代半导体生产基地，今年三季度已开始建设 Ph1 洁净室。三星电子此前已将原定明年初完成的 P5 Ph1 洁净室建设提前约 6 个月，设备导入因此预计在明年三季度左右。业内人士称，设备搬入开始时间拟从明年 7 月至 8 月提前至明年 5 月至 6 月前后；另有人士表示，三星甚至提出明年一季度先交付设备、由其他地点暂存，显示其提前投资意愿较强。P5 第二阶段（Ph2）投资讨论也在推进。目前 Ph1 更可能建设为 DRAM 与 HBM 产线，Ph2 则更可能建设为包括第十代（V10）在内的先进 NAND 产线。设备业人士称，正式采购订单尚未下达，但三星已与合作方讨论将 Ph2 建成 NAND 产线，并因设备交付周期较长，要求提前备妥相关零部件。报道称，全球大型科技公司增加 AI 基础设施用高性能 DRAM 与 NAND 订单，而三星等存储企业产能有限。三星在 7 月二季度业绩电话会上曾表示，今年未能满足的需求将延至明年，明年供应短缺将比今年更严重，并预计短缺将持续至 2028 年。

ChainCatcher 消息，台积电 2 奈米 N2 量产，半导体先进制程由 FinFET 跨入 GAA 世代。法人指出，随制程复杂度、CMP 道数、晶圆监控频率及材料规格同步提升，设备、CMP 耗材、再生晶圆及先进材料需求增加，中砂、昇阳半、新应材、颂胜等供应链迎成长契机。台积电 N2 采 nanosheet GAA，相较 N3E，在相同功耗下效能可提升 10%～15%，或相同速度下降低 25%～30% 功耗，芯片密度提高逾 15%。中砂最大客户钻石碟业务中，先进制程占比达 63%，N3、N2 各占 22%，1.4 奈米亦已小量出货；N3 进入 N2 后，CMP 内容价值提高 10%～15%。昇阳半 2026 年底再生晶圆月产能调整为 110 万～120 万片，2026 年资本支出预算达 48.2 亿元，预估 2025～2029 年再生晶圆扩产年复合成长率达 25%～30%。新应材 Rinse、BARC 及 EBR 三项核心产品出货可望随 N2 产能爬坡逐季走高，颂胜上半年半导体营收占比达 66%、年增约 25%，台积电相关营收年增约 170%。

ChainCatcher 消息，在 2026 世界制造业大会上，存储芯片厂商长鑫科技宣布第五代技术平台正式量产。据介绍，长鑫科技将内存阵列有源区半间距做到 11.95 纳米，存储器电容深宽比 45:1，核心动能区高度降至 6762 纳米。第五代工艺平台的存储密度有大幅提升，同等条件下每张晶圆产出较上一代平台提升 50% 以上。基于该平台打造的 24GB LPDDR5X 产品已进入正式量产，并进入国产主流旗舰手机。

ChainCatcher 消息，特斯拉团队于 9 月 16 日抵达宁波，并于 9 月 17 日启动新一轮针对机器人业务的量产审厂。此次审厂旨在配合审查 Optimus 机器人的量产独家性和一致性，计划在 2026 年下线约 5 万台 Optimus 机器人。

ChainCatcher 消息，美光展示全球首款面向服务器的 512GB DDR5 RDIMM 内存模组，运行速度最高达 9200 MT/s。AMD 与 Intel 正在针对未来平台进行验证。该模组通过硅通孔垂直堆叠 DRAM 芯片实现容量，配备 24 个模组的服务器内存可达 12 TB。单个 512GB 模组额定功耗为 16W，四个 128GB 模组合计功耗为 44.2W，降幅超过 60%。美光称，在 Spark SVM 内存密集型分析场景中，相较 256GB DDR5 性能最高提升 1.4 倍。该产品延续美光今年早些时候送样的 256GB DDR5 RDIMM（同样最高 9200 MT/s，采用 1-gamma DRAM 与 3D 堆叠），计划 2027 年量产，尚未公布定价。

ChainCatcher 消息，美光科技（MU.O）表示，公司已实现 512GB DDR5 内存模块里程碑，并预计 512GB DDR5 RDIMM 将在 2027 年下半年进入大规模量产。

ChainCatcher 消息，中科管理局 9 日证实，台积电中科扩建二期 1.4 纳米建厂全面加速。第一座 P1 厂目前已完成钢构结构体，预计明年 4 月即可试机，明年下半年可望量产，较原订 2028 年量产进度超前。台积电已向中科管理局提出申请，在基地建置两座临时办公室，预计明年 4 月同步完工，首批将有 5400 余名营运及外包人员进驻。台积电中科二期园区先进制程新厂去年 10 月动工，规划兴建四座 1.4 纳米厂，近 2000 名工人日夜赶工。P1 厂正进行楼板与外墙施工，明年初完成厂房建设。P2 厂已展开基础厂房建设，将于明年 10 月完工，两座厂房有望明年陆续量产。P3 厂已取得建照，P4 厂正申请建照中，计划以半年落差建置，P3 预计 2028 年第 2 季完工，P4 订同年第 4 季完工。P2 厂明年下半年完工后将再增加 1000 名营运人员，整个二期四座新厂全数完工投产预计总员工数在 9000 至 1 万人。

ChainCatcher 消息，台积电 9 月 8 日宣布，将从 2030 年起在量产中采用荷兰 ASML 制造的极端紫外线（EUV）光刻装置新型“高 NA”机。双方同日还表示，将开展行业横断的高 NA 机改良工作。ASML 垄断供应用于形成纳米级超微细电路的 EUV 光刻机，并于 2023 年 12 月起开始出货可描绘更细电路的高 NA 机。英特尔已引入高 NA 机，台积电此前因成本高等原因推迟量产采用。台积电与 ASML 将启动行业横断项目，把作为电路原版的光掩模从目前的 6 英寸（约 15 厘米）方形大型化为 12 英寸方形，并开发对应大型掩模的高 NA 机及相关部件。计划于 2031 年前设立大型掩模试制产线，2033 年前使对应大型掩模的高 NA 机达到可投入先进半导体生产的状态。主要半导体制造商及掩模企业等已对参与表示兴趣。高 NA 机可描绘更细电路，但单次可描绘面积减为传统机型的一半，绘制大型芯片电路时需分多次曝光，工序复杂、成本上升。通过光掩模大型化可扩大曝光面积、降低成本。台积电董事长兼首席执行官魏哲家当日表示，将汇集全行业专业知识，持续推进使先进技术可广泛使用的技术创新，并传递其益处。

ChainCatcher 消息，据彭博社报道，瑞银集团分析师预计，未来十年内中国半导体制造能力可能难以取得足够快的进展，从而开发出能够真正替代阿斯麦尖端 EUV 光刻技术的方案。瑞银分析师在报告中写道，“他们目前所处的阶段似乎与阿斯麦在 2004 年时相当”，从专利申请活动来看，尤其是在光源和激光子系统领域，中国当前技术成熟度大致相当于阿斯麦开始大规模生产 EUV 设备前 15 年的水平。 瑞银同时预计，中国有望在未来两到五年内具备浸没式 DUV 光刻机的大规模量产能力。浸没式 DUV 虽不如 EUV 先进，但仍是芯片制造不可或缺的设备。阿斯麦浸没式 DUV 售价近 9000 万美元，EUV 设备每台超 2 亿美元。中国是阿斯麦最大市场之一，但受出口限制，阿斯麦被禁止向中国出售 EUV 设备。瑞银指出，考虑到良率和产能差距及监管限制，中国光刻设备不太可能在境外得到应用。阿斯麦发言人对置评请求未作回应。该报道基于瑞银分析师的预测观点，实际进展以产业动态为准。

ChainCatcher 消息，小鹏集团董事长何小鹏在2026半年财报会上表示，人形机器人IRON计划从今年底开始进入规模量产，并从小鹏门店和园区落地商业场景。2027年IRON将正式上市，面向零售和服务业外部客户，在中国和海外规模交付，明年月产能可迅速提升至数千台。他自今年6月起兼任机器人业务CEO，整合汽车供应链、车规级制造、全球化布局及图灵AI芯片等资源，推动量产与商业化。当日小鹏宣布人形机器人业务获超9亿美元首轮融资，投后估值超63亿美元。IDG领投，高榕创投、腾讯、阿里巴巴等认购6亿美元，小鹏集团及何小鹏等高层控制主体认购3亿美元。何小鹏认为高阶通用机器人技术门槛至少是智能汽车的20倍，单台全生命周期收入和毛利将大幅高于汽车，期望量产后带来可观毛利并支持物理AI研发。搭载第二代VLA的前装量产Robotaxi已在广州完成超2000次内测订单，小鹏已完成云端接管平台开发，目标明年实现无安全员载客运营。汽车业务上半年总收入327.8亿元，交付16.60万辆，毛利率20.6%；预计三季度交付11.5万至12.1万辆，总收入217亿至234亿元。

ChainCatcher 消息，英伟达高级总监 Dion Harris 当地时间周一宣布，Groq 3 LPX 机架已进入全面量产阶段，并将部署在新型云服务商 Nebius 的数据中心，预计今年晚些时候上线。此举标志着英伟达去年 12 月与 Groq 达成约 200 亿美元技术授权交易后所获技术正式实现商业化，多位 Groq 核心员工已加入英伟达，创始人 Jonathan Ross 担任英伟达首席软件架构师。英伟达正加速生产 Groq 芯片并向客户提供产品，凸显低延迟推理的重要性。今年 3 月发布的 Groq 3 LPX 为 Vera Rubin 平台推理加速器，架构在芯片裸片上集成 500 兆字节高速 SRAM，以减少内存瓶颈。每个 LPX 机架可整合 256 颗 Groq 3，英伟达援引基准测试称每秒可处理 3400 个 token；该芯片由三星制造。Harris 表示，低延迟芯片并非取代 GPU，而是针对工作负载不同环节使用合适处理器，云服务商可对延迟敏感用户提供更高收费套餐。英伟达 CEO 黄仁勋计划将面向编程应用的数据中心空间约四分之一分配给 Groq 芯片，其余部分采用 Vera Rubin 系统，并预计到 2027 年 Blackwell 与 Vera Rubin 累计销售额达 1 万亿美元。

ChainCatcher 消息，据 Liberty Times 等媒体报道，台积电已完成 angstrom 级 A16（1.6nm）制程的开发与验证，预计将于 2026 年第四季度进入大规模量产。该工艺采用台积电背面供电网络技术 Super Power Rail（SPR），将信号布线与电源布线分离，电源位于晶圆背面，以减少瓶颈。与 2nm 工艺相比，A16 据称可提升 8% 至 10% 的计算速度，降低 15% 至 20% 的能耗，并提高 8% 至 10% 的芯片密度。台积电将 1.6nm 工艺视为迈向 1.4nm 的过渡步骤，目标是在 2028 年开始 1.4nm 量产。

ChainCatcher 消息，据韩媒 ZDNet Korea 报道，三星电子正调整其器兴园区 NRD-K 2 号产线的原定用途，从研发设施改为晶圆代工产线，主要目标产品为英伟达 HBM 所需的 2nm 基础芯片。该产线预计将于 2028 年下半年启用，采用“Send-Fab”模式，即从其他量产线接收晶圆并代工特定工序。 NRD-K 是三星电子为抢占未来半导体技术而建设的最尖端复合研发园区，总投资约 20 万亿韩元，共规划 3 条产线，其中第 1 条已于 2024 年底竣工。此次调整旨在提前应对 AI 基础设施投资带动的 HBM 需求扩张。三星计划在定制 HBM 及 HBM5 上率先应用 2nm 工艺以保持性能优势。 业内人士指出，NRD-K 2 号线规模相对较小，适合以 Send-Fab 形式运作。但距离产线启用仍有约两年时间，最终用途仍可能根据市场形势再次调整。三星此前曾考虑将该产线用于 DRAM 生产，相关计划在本月被修改后，DRAM 产能将更集中于平泽园区。设备采购订单尚未正式发出。

ChainCatcher 消息，据 DIGITIMES 报道，英伟达下一代 AI 平台 Feynman 的量产时间目标锁定在 2028 年下半年，将采用台积电 A16 制程，并导入 SoIC 3D 堆叠及 CPO 技术。Rubin 世代以多颗小芯片与 HBM 整合为主，Feynman 则进一步向 3D 小芯片、SoIC 及 CPO 方向发展。报道指出，台积电正加速推进相关产能建设，原规划 2026 年底 SoIC 月产能达 2 万片，目前最新目标已上调至 2027 年底达 5 万片。 台积电嘉义 AP7 与南科 AP8 的建厂进度同步加快，其中 AP7 共规划 8 个阶段，P1、P2 已进入装机，P3、P4 已取得建照，P5 至 P8 持续规划中。该厂除量产苹果专用的 WMCM 外，后续将依客户需求配置 SoIC、CoPoS 及 CPO 相关产线。英伟达已将研发与供应链资源快速转向 Feynman 平台，台积电先进封装订单外溢效应持续扩大，矽品已成为承接英伟达 CoWoS 与 CPO 订单的主力封测厂。英伟达 Feynman 平台的 NVLink 互连带宽预计突破 1 PB/s，较 Rubin Ultra 的 520 TB/s 进一步提升。台积电的 COUPE 技术通过 SoIC 将 EIC 与 PIC 进行 3D 整合形成光引擎，将光电转换由传统电路板推进至封装架构内部。2026 年以来，英伟达已投入超 400 亿美元布局 AI 生态，涵盖模型、晶圆制造、数据中心及光通讯等领域。

ChainCatcher 消息，据台湾媒体报道，英特尔下一代先进封装技术 EMIB-T 正面临严峻的良率挑战。ABF 载板供应商欣兴电子（Unimicron）在 7 月 29 日的财报电话会上表示，该技术“尚未成熟”，三家 EMIB-T 载板供应商（欣兴、揖斐电、新光电气）在 2027 年底首批量产阶段的良率目标仅为 50%。 EMIB-T 是英特尔对标台积电 CoWoS-L 的先进封装方案，区别在于将硅桥直接嵌入载板而非使用硅中介层，使载板供应商成为决定成败的关键环节。谷歌第九代 TPU 已确定在 2028 年量产时采用 EMIB-T 封装，联发科负责芯片协同设计，该芯片若成功量产，出货量有望挑战英伟达。欣兴电子表示，客户（英特尔）已提供利润保证机制，即便良率不佳仍能确保供应商盈利，50% 良率目标实现后利润率将高于公司平均水平。目前 EMIB-T 能否在 2027 年底前达成量产目标仍存较大不确定性。

ChainCatcher 消息，日本 NAND 厂商铠侠（Kioxia）正加速布局 AI 用 NAND 市场，今年已启动第 10 代（BiCS 10）332 层 3D NAND 量产，并基于此推出支持 PCIe 6.0 的数据中心 eSSD“CM10”，顺序读取性能较前代提升达 92%。此外，铠侠计划于今年年底量产 UFS 5.0 嵌入式存储，数据传输速度较 UFS 4.1 提升约 2 倍，主攻端侧 AI 移动设备市场。据 TrendForce 数据，铠侠今年一季度全球 NAND 市场份额为 13.9%，位列第三，次于三星电子（31.6%）和 SK 海力士（17.6%）。 韩厂同样加快脚步。三星已于上月量产 PCIe 6.0 eSSD“PM1763”，搭载第 9 代 V-NAND 和 4nm 控制器，UFS 5.0 计划于第四季度量产。三星还宣布本月起量产第 10 代 V-NAND（约 430 层），首次应用混合键合及三堆叠工艺。行业分析认为，铠侠在技术迭代速度上颇具竞争力，但产能规模仍与韩厂存在差距，后续 AI 存储市场竞争将更趋激烈。

ChainCatcher 消息，英伟达资深副总裁 Gilad Shainer 在近日举行的技术论坛上宣布，CPO 已步入量产阶段。英伟达与供应链合作开发的交换机已开始交付给紧密合作客户，并在自家部署。预计今年起，搭载 CPO 技术的交换机将在全球 AI 工厂中大规模导入。 Shainer 指出，未来光通讯市场最大商机在于垂直扩展（Scale-up），其所需带宽效能将是水平扩展（Scale-out）的十倍以上。Shainer 此前在 Mellanox 负责研发，公司被英伟达收购后主持 AI 平台网络传输部门，并与台积电共同开发 COUPE 硅光子封装平台。这一宣布有助于打破市场对光通讯规格升级的疑虑，提振相关厂商营运展望。 据悉，英伟达已在 Spectrum-X 上先行导入 CPO，目标是配合即将大规模部署的 Vera Rubin AI 平台（运算速度较 GB300 至少提升三倍以上）。Trendforce 预估，CPO/NPO 市场规模将于 2030 年突破 390 亿美元，2028 至 2029 年随着 Scale-up 导入光互连，成长动能将显著加速。

ChainCatcher 消息，SK海力士宣布将于今年下半年正式量产 16Gb LPDDR6 低功耗移动DRAM，首批产品将搭载于小米下一代旗舰智能手机。该产品于 3 月 完成开发，采用 10nm 级第六代（1c） 工艺，较前代在数据处理速度和能效方面均有提升。SK海力士自 2013 年 起向小米供应LPDDR产品，双方长期保持合作。 LPDDR主要用于智能手机和平板电脑等移动设备，兼具低功耗与高性能特性。近期受AI服务器需求拉动，LPDDR价格持续走高，合约价格不断上涨，第一季全球移动DRAM营收环比增长 64.5%。SK海力士与三星电子已在LPDDR6量产准备上领先于美光。此外，LPDDR6的量产有望加速 SO-CAMM（低功耗内存模组）市场的竞争，该产品被视为AI服务器CPU的配套方案。英伟达CEO黄仁勋曾于 6 月 在台北国际电脑展上到访SK海力士展台，为 192GB SO-CAMM留下 “LOVE SOCAMM” 题词。

ChainCatcher 消息，半导体研究机构 SemiAnalysis 发文指出，预计英伟达（Nvidia）在今年下半年（即 2027 财年下半年）将迎来巨大的产能爬坡，其数据中心计算业务收入预估将比当前市场共识预期高出 20%。 该机构表示，此前因 HBM4 遭遇技术瓶颈而推迟的英伟达新一代 Rubin 架构芯片，目前相关问题已得到解决，且前端晶圆供应已完成初步储备，即将进入大规模量产阶段。 此外，SemiAnalysis 强调，其预测数据建立在对全产业链的深度调研之上，涵盖从上游材料、晶圆代工、组件、服务器集成商，到下游超大规模云服务商及前沿 AI 实验室的动态。其追踪模型同时覆盖了博通、AMD、联发科及 Marvell 等主要 AI 芯片生态参与者。