长鑫存储

ChainCatcher 消息，据路透社援引知情人士报道，长鑫存储 CXMT 正准备进入 NAND 闪存芯片市场，将在核心 DRAM 业务之外扩展，并与三星电子、SK 海力士、美光以及长江存储竞争。长鑫存储计划在北京新工厂建立 NAND 闪存研发生产线，并在北京设立包含 NAND 开发项目的研究院。该公司已与客户讨论相关计划，其中包括一家拟为 AI 系统和超级计算机采购芯片的初创公司。研发线运营或大规模商业制造的时间表尚不明确。全球存储短缺由 AI 服务器需求推动，预计至少持续至 2027 年。制造商优先 DRAM 和 HBM 支出，限制了 NAND 产能增加。长鑫存储 7 月 IPO 募资 579.2 亿元人民币。长江存储于 2022 年被列入实体清单。

ChainCatcher 消息，中国最大 DRAM 厂商长鑫存储 CXMT 近日启动上海新厂合作商设备招标，并推进多地产能扩张。CXMT 目前在合肥二期、北京一期量产 DRAM，产能估约每月 20 万片中段，年底或超过每月 30 万片。CXMT 计划今年四季度开上海新厂，相关设备招标已启动。半导体设备业人士称，该厂拟分两阶段扩建，产能将显著超过每月 10 万片。随后计划明年上半年开合肥新厂、最早明年下半年开北京新厂，后年上半年再开合肥新厂。设备业人士称，CXMT 已与多方沟通多地建厂时点。若计划全部落地，CXMT 今年至 2028 年每年可新增至少每月 7 万至 8 万片产能，长期或超每月 60 万片。三星电子与 SK 海力士 DRAM 产能分别估约每月 70 万片、60 万片。

ChainCatcher 消息，据日经亚洲报道，中国芯片制造商长鑫存储（CXMT）在利润率方面已领先全球竞争对手，超越 SK 海力士和美光。该公司利用商品级 DRAM 供应紧张的局面，在第二季度占据优势。长鑫存储的主要产品包括 DDR5 内存，近几个月价格出现上涨。报道称，这一情况出现在由韩国、美国和日本供应商主导的存储芯片行业。

ChainCatcher 消息，据朝鲜日报报道，中国最大 DRAM 厂商长鑫存储（CXMT）已启动第四代高带宽存储器 HBM3 试验生产，初期良率停滞在 25%，约为量产黄金良率 80% 的三分之一。SK 海力士自 2022 年起量产同类产品，良率超过 90%。长鑫存储 HBM3 8 层堆叠产品前道工序良率约 30%，后道工序后约 70% 成为最终良品。公司将少量样品供应给阿里巴巴平头哥、寒武纪等中国企业并持续改善良率。其 G4（17 纳米级）工艺普通 DRAM 无大问题，但 HBM 用 DRAM 芯片面积更大、电气规格更严格。业界将原因指向硅通孔 TSV 技术成熟度不足。Nomad Semi 分析显示，三星 HBM2 每芯片 TSV 超 5000 个，SK 海力士 HBM3 超 8000 个，长鑫存储约 3000 个。与三星、SK 海力士存在 4 至 5 年差距。

ChainCatcher 消息，据《金融时报》援引知情人士报道，中国存储芯片制造商长鑫存储和长江存储均已从阿斯麦采购了足够多的深紫外光刻机（DUV），以满足其未来三年的扩产计划。

ChainCatcher 消息，中兴努比亚官宣，搭载豆包手机助手的全新量产旗舰努比亚 NaviX Ultra 将于 9 月 16 日正式发布。作为全球首款 AI 智能体手机，该机实现一句话让手机从需要用户手动操作的工具进化成能替用户办事的智能助手。即日起新品全网预约正式开启，用户可通过中兴商城、京东、抖音、天猫及各大授权电商平台参与预约。据长鑫存储和努比亚手机官方微博，努比亚 NaviX Ultra 将搭载长鑫最高速率 10667 Mbps 的 LPDDR5X 内存，这也是国产 10667 Mbps 高速率 LPDDR5X 芯片首次量产应用。

ChainCatcher 消息，长鑫存储于美国东部时间 8 月 28 日向美国国防部提起诉讼。长鑫存储表示，公司向美国哥伦比亚特区地方法院提起诉讼，指控美国国防部错误地将其列入“中国军事企业”清单，该公司 2025 年 1 月被首次列名。长鑫存储不是军事企业，仅研发和生产用于商业及民用领域的 DRAM（动态随机存取存储器）产品，未用于军事用途。

ChainCatcher 消息，据 DIGITIMES 报道，长鑫存储与长江存储持续扩张，近期苹果积极寻求导入两家中系记忆体供应链，外界关注其打入苹果供应体系。业界透露，两家厂商实则借苹果证明中国 DRAM 及 NAND Flash 品质已达国际水准，檯面下则透过第三方组装，辗转外销北美新云端（neocloud）业者，扩大云端与企业级市占。长鑫存储母公司长鑫科技已完成人民币 295 亿元募资，长江存储拟 IPO 募资约 330 亿元，用于量产线升级与研发。长江存储 2024 年已转盈，2026 年第一季归母净利达 333.79 亿元；其三期新厂将提前至 2026 年第四季投产，总产能每月 10 万片，其中约 20% 试产 LPDDR，成为其首个 DRAM 据点。供应链称，两家最快有望在 2027 年底至 2028 年将中国本土记忆体自给率提升至 50% 以上。长江存储以 NAND 销往第三方模组厂并组装为企业级 SSD 出货，规避产地敏感；长鑫存储已导入美、加等地中小型云端业者认证。美国民间企业原则上可向两家采购，实体清单主要限制其获取美国技术，并未全面禁止民间采购。云端业者亦透过租用算力或第三方持有资产等方式降低合规风险。业界认为，苹果对产业供需影响力下降，两家并无意大量供货苹果或削价竞争，扩产仍难短期满足苹果在中国市场需求。

ChainCatcher 消息，小米正式发布玄戒 O3 芯片。新一代玄戒 O3 是全球首个支持 LPDDR6 内存芯片的旗舰移动处理器（SoC）。财联社记者从供应链获悉，国内存储龙头长鑫存储（CXMT）是小米玄戒 O3 的 LPDDR6 内存核心合作伙伴。今年 3 月已有消息称长鑫 LPDDR6 已向关键客户送样，8 月初多家媒体报道其接近验证尾声。本次随玄戒 O3 落地，是国产 LPDDR6 芯片产品首次在旗舰级处理器上实现应用，也意味着国产低功耗内存正式跻身全球第一梯队。

ChainCatcher 消息，据 Gate 数据显示，长鑫存储（CXMT）现报 8.256 美元，24 小时涨幅 0.78%。据 CoinGlass 数据，Gate 长鑫存储（CXMT）持仓量达 662.83 万美元，位列中心化交易所第一。

ChainCatcher 消息，据官方公告，Bitget 股票永续合约已上线 CXMT（长鑫存储）。该合约以 USDT 结算，支持最高 20 倍杠杆及 7×24 小时交易。截至目前，Bitget 共支持 273 只股票永续合约标的。

ChainCatcher 消息，据快科技报道，长鑫存储 17nm DDR5 芯片良率已突破 90%，与三星同代产品 92% 至 93% 的良率水平仅差约 2 个百分点，技术指标迈入全球第一梯队。多家主要 PC 厂商已于年中前后完成长鑫 DRAM 芯片认证，并开始在部分笔记本电脑中小批量搭载。 不同品牌采用策略差异显著：戴尔全面禁用长鑫芯片；惠普仅限中国大陆市场使用；宏碁与华硕则将其搭载于面向中国大陆及新兴市场的机型。目前长鑫产品对三大内存巨头的整体市场价格影响仍有限，主要原因在于三星、SK 海力士、美光当前更倾向于供应 LPDDR5，而长鑫现阶段战略重心在于扩大 DDR5 出货量。PC 企业高管表示，三大厂商占据全球超 90% DRAM 份额，大规模采用须高度谨慎。当前采用长鑫芯片的机型数量和用量均相当有限。

ChainCatcher 消息，据《华尔街日报》报道，苹果正在测试中国DRAM厂商长鑫存储（CXMT） 的内存芯片，计划应用于iPhone和MacBook等产品线。此举背景是AI需求推高全球内存价格，苹果曾向美方游说称当前来自韩系及美系供应商的定价“不可持续”。报道称，苹果正寻求白宫批准与中国芯片供应商开展业务，目前美国允许采购商用现货芯片但限制定制化产品。 长鑫存储近期市场份额快速扩大，第二季度营收同比增长超8倍，全球DRAM市占率升至7%，并于上月完成科创板IPO。与此同时，惠普、宏碁等PC厂商已开始在非美国市场销售的部分设备中使用长鑫存储内存芯片，以缓解供应压力。苹果若最终达成采购协议，可能面临华盛顿方面的政治阻力。

ChainCatcher 消息，据韩国《数字日报》报道，苹果近期为降低下一代iPhone及智能设备成本，与长鑫存储（CXMT）就LPDDR5X等移动DRAM供应价格进行谈判，但遭到对方拒绝。长鑫存储坚持维持与三星电子、SK海力士相当甚至更高的报价水平，打破了苹果作为终端厂商惯有的议价优势。 报道分析称，华为、小米等中国终端企业已通过长期高价合同提前锁定长鑫存储的大量产能，中国内需市场为其提供了坚实的价格防线。与此同时，三星电子和SK海力士因HBM产能持续扩张挤占通用DRAM供给，叠加长鑫存储守住价格下限，韩国厂商在通用DRAM领域的出货压力与价格下行风险大幅缓解，得以将资源集中于HBM4、LPCAMM2及eSSD等高附加值AI存储产品。行业人士预计，下半年韩国半导体阵营的营业利润率及全球市场定价权将进一步增强。

ChainCatcher 消息，据 Counterpoint Research 数据，2026 年第二季度全球DRAM市场三星电子以 39% 市场份额重回榜首，较去年同期显著回升； SK 海力士份额从去年同期的 39% 降至 26%，尽管营收同比增长 214%；美光以 25% 份额紧随其后，与SK海力士差距仅 1 个百分点。Counterpoint指出，三星在通用DRAM需求增长和HBM领域份额扩大的双重驱动下实现反弹。 通用 DRAM 价格环比大幅上涨，而 HBM 均价受 HBM3E 价格下降及 HBM4 延迟出货影响同比下滑。长鑫存储营收同比增长 716%，受益于强劲的国内通用DRAM需求及产能扩张；南亚科技同比增长 690%，受益于 DDR/LPDDR4/5 供应扩大。Counterpoint 预测，随着 NVIDIA Vera Rubin 和 AMD Instinct MI455X 出货，下半年HBM4出货量将显著提升，产品组合改善有望支撑 HBM 价格反弹。

ChainCatcher 消息，据路透社报道，知情人士称，长鑫存储正考虑在北京亦庄建设第二座 12 英寸 DRAM 晶圆厂，并与北京经济技术开发区及多家国有科技企业洽谈融资。公司正寻求至少 6,000 万元人民币（约 890 万美元）支持，但谈判仍处早期阶段，融资规模与结构可能调整。 拟建工厂将位于长鑫存储现有北京 DRAM 晶圆厂所在地。项目规划产能和总投资尚未确定，而建设一座可生产先进 DRAM 的晶圆厂通常需要超过 100 亿美元。目前，长鑫存储在合肥运营两座、北京运营一座 12 英寸 DRAM 晶圆厂，每座月产能约 10 万片。长鑫存储还在上海和合肥建设新工厂，相关项目全面投产后，公司月产能可能翻倍至超过 60 万片。 此次扩产正值 AI 基础设施、数据中心及消费电子需求推动存储芯片进入上行周期。公司上月完成 86 亿美元 IPO，为中国内地规模最大的半导体企业上市融资，上市后股价已上涨 13%。长鑫存储目前是全球第四大 DRAM 制造商，但三星电子、SK 海力士和美光第一季度合计仍占据接近 90% 的全球市场份额。北京和上海也在向长鑫存储提供资金及其他支持，以争取其扩张带来的经济和战略收益。

ChainCatcher 消息，据 Lookonchain 监测，长鑫存储目前进入第 5 个交易日，价格已升至 8 美元上方，目前多空博弈中多方占优。某巨鲸做空 290 万枚长鑫存储，价值 2,354 万美元，目前亏损 467 万美元，并支付 142 万美元资金费；另一巨鲸做多 163 万枚长鑫存储，价值 1,327 万美元，目前盈利 246 万美元，并获得 82.3 万美元资金费。

ChainCatcher 消息，据余烬监测，在今晚存储板块明显反弹后，此前持续做空长鑫存储的交易员再次加仓空单。该交易员自长鑫存储首次公开募股前一日建仓，并已历经多次加仓，目前其持有的长鑫存储空单价值约 2,226 万美元，浮动亏损约 406 万美元。