三星

ChainCatcher 消息，据美国专利商标局（USPTO）披露，三星电子一项名为“提供基于区块链服务的电子设备及其操作方法”的专利于 10 月 20 日正式获得授权。该技术允许电子设备通过无线信号识别附近支持区块链服务的设备，建立点对点连接，并通过比较各设备存储的最新区块高度，选择数据最新的设备完成区块链同步。该专利可减少设备同步区块数据时的网络流量及能耗。

ChainCatcher 消息，据韩国每日经济新闻报道，特斯拉和英伟达将向三星电机工厂投资 28 亿美元。

ChainCatcher 消息，三星电机宣布将于 2026 年起向英伟达供应 ABF 基板。

ChainCatcher 消息，据华尔街见闻援引韩国美利证券数据，三星电机低容量、高容量及车载用 MLCC 交货期已由 9 月的 30 周以上延长至 10 月的 52 周，部分客户下单后约需等待一年。中国台湾厂商国巨主要 MLCC 产品交货期维持在 30 至 52 周，交货期延长已从高容量、高性能产品扩散至低容量及车载产品。NIC Components、Viking、三和电容等交货周期也有不同程度拉长，多家公司继续维持涨价趋势。AI 服务器是需求增长的重要驱动之一，其 MLCC 搭载量可达普通服务器的 10 倍以上。三星电机组件事业部今年上半年产能利用率已达 91%，菲律宾扩产项目预计要到 2027 年以后才能形成量产，短期供给压力仍难明显缓解。

ChainCatcher 消息，据《朝鲜 Biz》10 月 20 日报道，三星电子代工事业部 4 纳米工艺因客户订单增加，产能已接近满负荷，公司同时扩大 5 纳米工艺的新客户争取。报道称，最先进的 2 纳米工艺与全球大型科技企业的合同仍在延迟，三星转而提高良率相对稳定的 4 纳米、5 纳米工艺稼动率，以改善收益。4 纳米被用于智能手机应用处理器、人工智能半导体和高性能计算芯片等。报道称，人工智能半导体市场扩大后，并非所有芯片都需要最先进工艺；4 纳米、5 纳米制造成本相对较低，同时仍可取得较高性能，可用于部分人工智能推理芯片和专用集成电路。2 纳米方面，三星正与全球大型科技企业讨论生产合同，但部分谈判晚于原先预期。最先进工艺除良率外，还需综合验证能效、设计资产和稳定量产能力，从签约到量产需要较长时间。三星把 2 纳米作为下一代代工业务的核心增长动力，计划沿用在 3 纳米首次导入的全环绕栅极晶体管结构，以改善能效和性能。

ChainCatcher 消息，据 Gate 行情数据显示，韩国 KOSPI 指数 10 月 20 日（周二）收盘下跌 214.93 点，跌幅 3.73%，报 5553.08 点。三星电子跌 2.98%，SK 海力士跌 4.22%。

ChainCatcher 消息，据 THE ELEC 报道，三星电机于 10 月 19 日公告，已与一家全球大型企业签署内存半导体用封装基板供应合同，金额为 3605 亿韩元。合同期为 2027 年 1 月 1 日至 12 月 31 日，相当于公司去年合并营收的 3.2%。这是三星电机首次披露封装基板长期供应合同。计入本次后，公司今年已披露的长期供应合同增至 7 笔，累计金额约 4.3 万亿韩元。此前合同主要集中在硅电容器、多层陶瓷电容器和电感器等元件业务，此次扩展至封装解决方案业务，该业务生产 FC-BGA 基板和 BGA 基板等产品。三星电机上月公告，将分别向世宗 FC-BGA 生产设施和越南封装基板生产设备投资 4.27 万亿韩元、2.51 万亿韩元。公司还表示，作为政府大型项目的一部分，计划到 2040 年向世宗事业场投资 8 万亿韩元、向釜山事业场投资 15 万亿韩元，并在釜山、世宗和越南生产 FC-BGA。三星电机相关人士称：AI 与高性能计算市场增长使高性能封装基板更重要，公司将加强客户供应合作并建立稳定供应体系。

ChainCatcher 消息，据金融数据提供商 FnGuide 近日公布的数据，截至 10 月 15 日，韩国国民年金公团（NPS）在 287 家上市公司中持股比例达 5% 及以上的股权总估值，已从 6 月底的 515.93 万亿韩元缩水至 333.53 万亿韩元，账面缩水约 182 万亿韩元，约合 1370 亿美元。 缩水主要与该基金重仓三星电子和 SK 海力士相关。NPS 持有的 SK 海力士市值蒸发约 74.2 万亿韩元，三星电子持仓市值缩水 56.9 万亿韩元，两只股票约占持仓市值总降幅的 72%。 NPS 是韩国体量最大的养老基金，截至 6 月底管理资产规模达 1866 万亿韩元，约合 1.35 万亿美元。今年上半年投资回报率达 27.2%，创 2022 年以来同期最好水平，但数月内行情反转，这也是 2024 年第四季度后其核心重仓组合首次出现季度级别市值下滑。 NPS 长期将三星电子、SK 海力士列为本土股票持仓前二，持股比例维持在 7% 以上。今年 5 月，基金运营委员会还上调韩国股票年末目标配置。6 月高点后股价快速回调，截至 10 月中旬，SK 海力士较高点跌幅超过 50%，三星电子回撤约 40%。 外资集中抛售是下跌的直接推手，两家公司合计占外资净卖出总额接近八成。市场对 AI 存储景气的分歧、中国存储技术进展，以及个股杠杆 ETF 的高波动，也放大了跌幅。6 月 22 日韩国 KOSPI 指数曾创 9114.55 点历史收盘高位，截至 10 月 15 日已下跌约 39%。期间 NPS 持有的 SK 海力士股份比例从 7.5% 降至 7.32%，三星电子持股比例维持在 7.84%。 美银 10 月 16 日研报认为，存储股估值在约三个半月调整后或已见底，2027 至 2028 年存储芯片价格与盈利仍有望维持高位。也有观点提醒，若全球 AI 企业削减资本开支，两家公司盈利预期仍有下调空间。截至目前，NPS 尚未就持仓市值大幅缩水作出正式回应。

ChainCatcher 消息，英伟达已要求三星电子、SK 海力士和美光科技采用台积电 3nm 制程的基底裸片为其生产 NVHBM，核心裸片则采用第六代 DRAM 技术。三星电子已决定接受英伟达的技术要求，但对涉及客户的事项不予评论。

ChainCatcher 消息，三星电子将采用台积电的 3 纳米制程，为英伟达生产下一代定制 HBM 芯片基底裸片。这是三星首次在 HBM 制造阶段与台积电合作。英伟达要求三星、SK 海力士和美光科技采用台积电工艺制造 NVHBM 基底裸片，并使用第六代 DRAM 技术。三星计划继续自主生产标准 HBM 和其他客户的定制产品。

ChainCatcher 消息，Solana 基金会相关负责人表示，美国《GENIUS 法案》为企业和金融机构进入稳定币领域提供监管推动力，也是三星推出稳定币支付服务的重要背景因素之一。三星已宣布，将在三星 Wallet 中支持 USDC 跨境转账，首阶段面向美国符合条件的 Galaxy 用户，覆盖约 8200 万台设备。用户可在数秒内向兼容的加密钱包转账美元稳定币，且无需支付转账费用；也可向 60 多个国家和地区的符合条件的银行账户汇款。该服务将采用 Solana 和 Sui 网络作为底层基础设施，由持牌稳定币托管机构 Bastion 提供转账服务，Coinbase Prime 担任次级托管方，负责保障 USDC 资产安全。

ChainCatcher 消息，据《首尔经济》16 日报道，三星电子拟用于明年年初发布的最上位机型 Galaxy S27 Ultra 的高通下一代应用处理器出现发热导致的性能下降。三星 DX 部门 MX 事业部正在对该机型搭载的高通 Snapdragon 8 Elite Extreme 第 6 代进行最终性能验证，并已要求高通在本月中旬前解决发热问题。多名相关人士称，该芯片在近期内部测试中反复超过温度基准，高负载持续时处理速度下降。三星上月已将结果告知高通，截至报道时尚未达到三星要求的发热稳定性，双方仍在补强性能并重新验证。该芯片是高通上月公开的最上位移动 AP，侧重在设备端处理复杂 AI 任务，并提高了 CPU、GPU 等性能。Galaxy S27 系列量产预定在今年年底，三星计划本月中旬确认发热改善结果并完成 AP 选定。若达标则按原计划采用 Snapdragon；若未解决，则可能把由三星系统 LSI 设计、采用代工部门第二代 2 纳米工艺 SF2P 的 Exynos 2700 作为替代方案。自 2023 年 Galaxy S23 Ultra 起全球使用高通 AP，若 Exynos 2700 进入明年 Ultra，将是 2022 年后约 5 年再次回归最上位机型。业界人士称，高通 AP 并未被最终排除。

ChainCatcher 消息，据 ZDNet Korea 10 月 15 日报道，三星电子下调四季度中低端手机生产计划，原因包括存储芯片涨价，以及 PCB 原材料 CCL 用玻璃纤维供应受阻。日本日东纺将产能更多转向盈利更高的 AI 半导体用 T-玻璃，减少智能手机 PCB 用 E-玻璃产量，导致供应不畅、价格上升。E-玻璃用于智能手机主板 HDI 及 RFPCB 的半固化片等。报道称，存储涨价推高制造成本后，三星减少相关零部件订单。Galaxy A 等中低端机型盈利较低，难以大幅增产，今年中低端基础款价格较前代上涨超过 10 万韩元。向合作伙伴传达的四季度零部件订单展望，对应全年智能手机出货量 2.3 亿部出头，低于零部件业预期的 2.4 亿部，也比中秋连休前减少 20% 至 30%。明年手机业务计划尚未像往年一样与合作伙伴共享。9 月中旬的四季度月度产量展望为 10 月 1430 万部、11 月 950 万部、12 月 760 万部，合计 3140 万部；本月初调整为 10 月 990 万部、11 月 760 万部、12 月 670 万部，合计 2420 万部，减少 23%。中低端产量下调的同时，明年初 Galaxy S27 等旗舰出货计划仍维持较高水平，明年折叠屏出货量也计划增加。MX 与网络事业部二季度亏损 7350 亿韩元，证券业对全年亏损的展望为 4000 亿韩元。

ChainCatcher 消息，分析师 Jukan 发文讨论存储行业周期，认为算力与存储将同步趋紧或同步宽松，不存在算力持续短缺而存储单独转向过剩的情况。他同时表示，做空存储并做多硬盘的逻辑不成立，硬盘与存储周期绑定，若本轮周期回落，硬盘难以单独保持安全。Jukan 称，市场对 2027 年之后的走势缺乏明确判断。历史上，价格往往在供应放量前一到两个季度见顶，随后出货扩张、利润池收缩。他认为，本轮与个人电脑、智能手机和通用服务器周期不同，使用的并非标准化产品，触发因素也不同。一些仍按过去上行获利、下行亏损经验看待存储的投资者主导定价，使存储估值偏低。他表示，类似以往的急剧崩塌难以再现，逐步回落则有可能；即便三星与 SK 海力士利润率较当前水平减半，市盈率仍可能处于十几倍，约为硬盘公司估值的一半。他还认为，存储价格下行时，其他需求会在各个价格台阶承接供应，其中由本地 AI 带动的个人 AI 需求有望出现。若超大规模云厂商推高的存储价格不能得到控制，本地 AI 难以扩散。参照大型机转向个人电脑、云转向智能手机的路径，他预计本轮 AI 周期将从前沿实验室转向本地开源 AI，并由后者承接存储需求。他同时表示，存储价格不会维持十年以上，价格终将回落，但开源驱动的本地 AI 等新消费需求可能提供底部支撑。

ChainCatcher 消息，据 Gate 行情数据显示，三星电子在韩股盘前跌 6%，SK 海力士跌 7%，隔夜美股存储概念普遍下跌。

ChainCatcher 消息，财联社 10 月 12 日援引市场调研机构 Counterpoint Research 称，人工智能基础设施建设持续挤占存储芯片供应，消费电子面临成本与供应压力。初步数据显示，2026 年第三季度全球智能手机出货量同比下降 20%，降至 2012 年以来同期最低水平。存储芯片危机已连续第二个季度冲击智能手机市场，芯片成本上涨推高整机物料清单成本，厂商上调终端售价，2026 年以来全球智能手机零售价格累计上涨约 20%。三星仍居全球首位，第三季度份额升至 23%，出货量同比下降 3%，为主要厂商中份额增幅最大者。苹果份额升至 22%，为其第三季度份额首次突破 20%，但出货量同比下降。当年缺少基础款 iPhone 18，新品上市首月渠道铺货规模低于上一年 iPhone 17 全系列上市时的水平，iPhone 18 Pro 系列在中国和印度表现强于前代。小米第三季度出货量同比下降超过 30%，份额降至 10%。OPPO、vivo 出货量均同比下降超过 20%，份额分别降至 9% 和 8%。Counterpoint 高级分析师 Shilpi Jain 称，消费者持有现有设备的时间更长，更多考虑翻新机。Counterpoint 表示，在存储芯片成本与供应改善之前，全球智能手机出货量恐难明显复苏。

ChainCatcher 消息，据 ZDNet Korea 10 月 12 日报道，三星电子正扩大次世代 NAND 闪存 zNAND 的应用范围，并规划在已公开的 zNAND-O 之外，将产品细分为 zNAND-O、zNAND-T、zNAND-I 共 3 款。报道称，三星电子尚未正式宣布后两款产品，但业界了解到相关方案已进入初期开发，以对应 AI 基础设施中定制化存储需求增加的情况。zNAND-O 面向端侧 AI。与传统引线键合不同，该方案通过硅通孔将 NAND 垂直堆叠 4 层或 8 层，缩短数据传输路径，并提升速度与能效。三星电子已于今年 8 月在美国存储器相关活动中首次公开展示 zNAND-O 模型。zNAND-T 侧重吞吐量，面向高容量、高性能 AI 数据中心，同样以垂直堆叠和硅通孔扩大带宽，业界将其称为高带宽闪存。zNAND-I 侧重提升每秒输入输出次数，用于 AI 推理中对键值缓存等小容量临时数据的频繁处理。报道同时提到，SK 海力士也在开发 AIN P、AIN D、AIN B 等 AI NAND 产品系列。

ChainCatcher 消息，TrendForce 10 月 12 日援引 Chosun Biz 报道，随着 AI 封装容纳更多计算与存储芯片，连接计算芯片与 HBM 的中介层预计大幅变大，下一代 HBM 散热更重要。三星电子正准备多项技术，应对计划于明年开始量产的 HBM4E 散热挑战。当前 AI 中介层面积已约为 EUV 光刻机单次曝光最大面积 858 平方毫米的 5.5 倍。半导体设备业人士预计，承载 HBM 的中介层可能扩大到该面积的 9 倍、12 倍，最终约 40 倍。原因包括制程微缩受限和 chiplet 式 2.5D 封装普及，单一先进制程芯片难以满足 AI 算力需求，多个计算 chiplet 与 HBM 堆叠被放在同一中介层上。三星考虑混合铜键合与热路径块。前者以铜对铜直接连接取代堆叠 DRAM 晶粒间的微凸点，可缩小层间间隙、使堆叠更薄并改善散热，三星曾在 2026 年 3 月 NVIDIA GTC 展示。热路径块在 HBM 基底晶粒负责与 GPU 高速传输的 D2D PHY 区域建立专用热路径，三星正用 HBM4E 验证，并计划在 HBM5 导入。据 ETNews，SK 海力士的 iHBM 在热量集中的 D2D PHY 周围放置高导热但电绝缘的冷却材料，预计可将热阻降低约 30%。

ChainCatcher 消息，中国存储芯片企业长鑫存储（CXMT）称，其在一种新存储结构上取得关键进展。三星电子与 SK 海力士也在推进同类结构，以提高存储密度。公司总裁曹侃宇在上海一场产业活动上表示，长鑫存储计划在 2026 年底前推出基于该结构的新服务器内存产品，相关说法来自公司声明。该结构为 4F² 设计，即每个存储单元占用面积为 4F²，其中 F 为半导体最小线宽。公司称，这一专有晶体管设计可通过在单颗芯片上容纳更多存储单元来提高存储密度，并改善效率。目前主流商用 DRAM 采用 6F² 单元结构。