sk海力士

ChainCatcher 消息，据科创板日报，SK 海力士发布公告称，旗下海外子公司 Solidigm 此前曾考虑通过多种融资方案扩大产能、增强竞争力，但综合考虑资本市场环境等因素，决定停止推进 Pre-IPO 及首次公开募股计划。此前有报道称，Solidigm 计划开展规模达 5 万亿韩元的 Pre-IPO 融资。Solidigm 为 SK 海力士旗下闪存业务。

ChainCatcher 消息，据 Gate 行情数据显示，韩国 KOSPI 指数日内跌幅扩大至 4%，现报 5503.73 点，SK 海力士跌超 6%，三星电子跌超 4%。

ChainCatcher 消息，10 月 21 日，英特尔宣布，施工人员已在俄亥俄州新奥尔巴尼新建芯片厂安装第一根主要结构桁架，下一阶段施工开始。英特尔代工负责人 Naga Chandrasekaran 在公司网站发文称，这是扩大美国先进半导体制造产能的又一步。该厂原计划 2025 年开始生产芯片，英特尔现将完工目标推迟至 2030 年。同址第二座俄亥俄晶圆厂计划于 2031 年完工，厂址位于哥伦布东北。延迟与首席执行官 Lip-Bu Tan 任内对代工业务的重新校准有关。Tan 于 2025 年接任后采取更谨慎策略，倾向于在客户需求明确后再推进大规模建厂。该项目最初由前首席执行官 Pat Gelsinger 推动，旨在为外部客户代工。截至 2025 年末，英特尔已在亚利桑那晶圆厂高量产最先进的 18A 芯片，目前主要用于自有处理器，尚未获得大型外部客户。Chandrasekaran 同日还宣布，亚利桑那下一座晶圆厂的运营预计于 2028 年底前开始，施工与设备安装正在进行。2025 年 9 月有报道称，SK 海力士可能与英特尔洽谈在俄亥俄厂租赁部分代工空间生产存储芯片，双方均未确认任何计划。

ChainCatcher 消息，据 Gate 平台数据显示，今日早盘韩国 KOSPI 指数一度上涨约 3.83%，开盘后快速突破 5,750 点。半导体及电子巨头板块表现强劲，涨幅居前，成为推动指数反弹的主要力量。当前三星电子（005930）上涨 6.61%；SK 海力士（000660）上涨 6.21%；三星电机（009150）上涨 3.03%。本轮上涨主因前日大跌后的资金回补，以及韩国 10 月前 20 日半导体出口额同比大增 222.5% 的利好驱动，市场对 AI 服务器及存储需求预期重升。

ChainCatcher 消息，据 Gate 行情数据，韩国 KOSPI 指数日内大涨 4.00%，现报 5775.10 点。三星电子涨 6.8%，SK 海力士涨超 7%。

ChainCatcher 消息，韩国 KOSPI 指数 10 月 21 日（周三）开盘上涨 101.87 点，涨幅 1.83%，报 5654.61 点。SK 海力士和三星电子涨约 3%。日经 225 指数 10 月 21 日（周三）开盘上涨 744.29 点，涨幅 1.16%，报 64819.71 点。

ChainCatcher 消息，据 Gate 行情数据显示，韩国 KOSPI 指数 10 月 20 日（周二）收盘下跌 214.93 点，跌幅 3.73%，报 5553.08 点。三星电子跌 2.98%，SK 海力士跌 4.22%。

ChainCatcher 消息，据金融数据提供商 FnGuide 近日公布的数据，截至 10 月 15 日，韩国国民年金公团（NPS）在 287 家上市公司中持股比例达 5% 及以上的股权总估值，已从 6 月底的 515.93 万亿韩元缩水至 333.53 万亿韩元，账面缩水约 182 万亿韩元，约合 1370 亿美元。 缩水主要与该基金重仓三星电子和 SK 海力士相关。NPS 持有的 SK 海力士市值蒸发约 74.2 万亿韩元，三星电子持仓市值缩水 56.9 万亿韩元，两只股票约占持仓市值总降幅的 72%。 NPS 是韩国体量最大的养老基金，截至 6 月底管理资产规模达 1866 万亿韩元，约合 1.35 万亿美元。今年上半年投资回报率达 27.2%，创 2022 年以来同期最好水平，但数月内行情反转，这也是 2024 年第四季度后其核心重仓组合首次出现季度级别市值下滑。 NPS 长期将三星电子、SK 海力士列为本土股票持仓前二，持股比例维持在 7% 以上。今年 5 月，基金运营委员会还上调韩国股票年末目标配置。6 月高点后股价快速回调，截至 10 月中旬，SK 海力士较高点跌幅超过 50%，三星电子回撤约 40%。 外资集中抛售是下跌的直接推手，两家公司合计占外资净卖出总额接近八成。市场对 AI 存储景气的分歧、中国存储技术进展，以及个股杠杆 ETF 的高波动，也放大了跌幅。6 月 22 日韩国 KOSPI 指数曾创 9114.55 点历史收盘高位，截至 10 月 15 日已下跌约 39%。期间 NPS 持有的 SK 海力士股份比例从 7.5% 降至 7.32%，三星电子持股比例维持在 7.84%。 美银 10 月 16 日研报认为，存储股估值在约三个半月调整后或已见底，2027 至 2028 年存储芯片价格与盈利仍有望维持高位。也有观点提醒，若全球 AI 企业削减资本开支，两家公司盈利预期仍有下调空间。截至目前，NPS 尚未就持仓市值大幅缩水作出正式回应。

ChainCatcher 消息，摩根大通策略师尼古拉斯·帕尼吉尔佐格鲁指出，10 月 AI 股票抛售潮可能难以复制 7 月快速反弹。与此前相比，当前市场逢低买入意愿减弱，空头仓位不足以提供潜在回补买盘，企业回购资金也在减少，同时 ETF 中的杠杆敞口重新累积，可能进一步放大市场波动。摩根大通认为，从投资者仓位和资金流向看，AI 基础设施股票似乎尚未进入超卖状态。本轮抛售已从韩国存储芯片股扩散至美国半导体板块。SK 海力士和三星电子过去一个月股价均下跌近三分之一，费城半导体指数过去五个交易日下跌 10%。此外，两家公司此前宣布的合计 400 亿美元股票回购计划已于 10 月中旬提前完成，市场可能因此失去部分企业回购带来的买盘支撑。与此同时，贝莱德 CEO 拉里·芬克警告，若美国暂停数据中心建设，经济可能陷入衰退。他表示，美国经济相当一部分增长与 AI 基础设施资本支出有关。随着市场对 AI 投资回报和企业盈利能力的疑虑加深，AI 产业链股价调整也可能影响数据中心建设、能源基础设施及相关就业领域。

ChainCatcher 消息，据 Gate 行情数据，日经 225 指数 10 月 15 日收盘下跌 3318.34 点，跌幅 4.90%，报 64425.95 点。韩国 KOSPI 指数同日收盘下跌 454.54 点，跌幅 7.56%，报 5554.27 点。韩国股市盘中一度跌超 9%，年内第十次触发熔断机制。韩国金融监管机构午后就股市召开紧急会议，随后股市跌幅有所收窄。SK 海力士初步收跌 11.06%，三星电子跌 9.48%。

ChainCatcher 消息，据 Gate 行情数据，韩国 KOSPI 指数跌幅达 7%。SK 海力士跌 10%，三星电子跌近 8%。

ChainCatcher 消息，据 DealSite 报道，存储芯片厂商 SK 海力士在扩大第六代高带宽内存 HBM4 量产的同时，部分后道设备业内人士认为扩产速度慢于预期，今年计划追加的部分设备订单可能推迟至明年。设备业人士称，原定今年下半年交付的部分设备出现延后迹象，后续订单计划也尚未明确。有匿名人士表示，部分原计划今年投入的设备或改至明年，已交付设备是否满负荷运转也尚无数据确认。明年 HBM4 相关投资计划尚未具体传达给部分合作方，今年订单已大体完成，但未见明确的增减投资信号。报道称，设备投资日程与产品质量问题之间的直接关联尚未得到确认。大信证券研究员柳亨根认为，主要客户 HBM4 质量问题导致业绩低于预期的担忧过度，后道环节或曾出现部分问题，但难以视为无法解决的风险，也尚未到讨论不良赔偿的阶段。另有业内说法称，在通用内存价格上涨背景下，部分 HBM 投资或转向通用内存。SK 海力士计划优先向龙仁集群 Y1 晶圆厂首个洁净室导入 DRAM 生产设备，业界预计初期产线采用第六代 10 纳米级 1c 工艺，新增产能将优先分配给通用 DRAM。也有观点认为，仅凭部分后道设备日程变化，尚不足以判断 HBM4 量产受阻，SK 海力士已向主要客户供应 HBM4 16 层样品。

ChainCatcher 消息，据 Gate 行情，韩国 KOSPI 指数跌幅扩大至 5%。SK 海力士跌超 7%，三星电子跌近 6%。

ChainCatcher 消息，据 ZDNet Korea 10 月 12 日报道，三星电子正扩大次世代 NAND 闪存 zNAND 的应用范围，并规划在已公开的 zNAND-O 之外，将产品细分为 zNAND-O、zNAND-T、zNAND-I 共 3 款。报道称，三星电子尚未正式宣布后两款产品，但业界了解到相关方案已进入初期开发，以对应 AI 基础设施中定制化存储需求增加的情况。zNAND-O 面向端侧 AI。与传统引线键合不同，该方案通过硅通孔将 NAND 垂直堆叠 4 层或 8 层，缩短数据传输路径，并提升速度与能效。三星电子已于今年 8 月在美国存储器相关活动中首次公开展示 zNAND-O 模型。zNAND-T 侧重吞吐量，面向高容量、高性能 AI 数据中心，同样以垂直堆叠和硅通孔扩大带宽，业界将其称为高带宽闪存。zNAND-I 侧重提升每秒输入输出次数，用于 AI 推理中对键值缓存等小容量临时数据的频繁处理。报道同时提到，SK 海力士也在开发 AIN P、AIN D、AIN B 等 AI NAND 产品系列。

ChainCatcher 消息，TrendForce 10 月 12 日援引 Chosun Biz 报道，随着 AI 封装容纳更多计算与存储芯片，连接计算芯片与 HBM 的中介层预计大幅变大，下一代 HBM 散热更重要。三星电子正准备多项技术，应对计划于明年开始量产的 HBM4E 散热挑战。当前 AI 中介层面积已约为 EUV 光刻机单次曝光最大面积 858 平方毫米的 5.5 倍。半导体设备业人士预计，承载 HBM 的中介层可能扩大到该面积的 9 倍、12 倍，最终约 40 倍。原因包括制程微缩受限和 chiplet 式 2.5D 封装普及，单一先进制程芯片难以满足 AI 算力需求，多个计算 chiplet 与 HBM 堆叠被放在同一中介层上。三星考虑混合铜键合与热路径块。前者以铜对铜直接连接取代堆叠 DRAM 晶粒间的微凸点，可缩小层间间隙、使堆叠更薄并改善散热，三星曾在 2026 年 3 月 NVIDIA GTC 展示。热路径块在 HBM 基底晶粒负责与 GPU 高速传输的 D2D PHY 区域建立专用热路径，三星正用 HBM4E 验证，并计划在 HBM5 导入。据 ETNews，SK 海力士的 iHBM 在热量集中的 D2D PHY 周围放置高导热但电绝缘的冷却材料，预计可将热阻降低约 30%。

ChainCatcher 消息，据韩媒报道，三星电子已就明年存储供应签署长期协议，覆盖比例约为 75% 至 80%，其中包括高带宽内存。报道称，三星电子已与英伟达、谷歌、微软等主要科技公司完成大部分合同敲定。SK 海力士与美光也在加快锁定供应量，并与主要客户签署一系列大规模长期合同。三星电机据称接近与台湾电力电子公司台达电子签署价值 7000 亿韩元的长期协议，用于供应多层陶瓷电容器。

ChainCatcher 消息，存储芯片公司 SK 海力士的美股将于周三面临锁定期届满，该项安排禁止公司、其关联方及管理层出售股份。与此同时，市场正在质疑存储芯片景气还能持续多久。公司美国存托凭证周一录得三周来最大跌幅。截至周二收盘，SK 海力士 ADR 相对韩国本土股份溢价 38%，为彭博追踪的主要亚洲发行人中最高。尽管近期有所回落，该价格仍比上市价格高出 20% 以上。目前没有迹象表明公司计划像部分亚洲人工智能公司近期那样再次发行股份。

ChainCatcher 消息，AMD 董事长兼首席执行官苏姿丰于 10 月 7 日下午约 4 时 44 分抵达首尔三星电子瑞草办公楼，与设备解决方案部门负责人全永铉副会长会面，距上次访韩约 7 个月。AMD 计算与图形集团负责人 Jack Huynh、副总裁 Joseph Macri 随行。苏姿丰表示，双方将讨论更广泛的伙伴关系，并称三星方面有许多合作伙伴；被问及是否会见李在镕时，她表示不便透露。访三星前，苏姿丰出席首尔 AMD 玩家日，将三星与 SK 海力士称为核心供应链伙伴，并称因人工智能需求上升正在规划长期供应链。她表示，新一代 MI455 与 Helios 系统已开始出货且均采用 HBM4，获两家支持，HBM 合作不会止于一代。报道称，Instinct MI455X 搭载 432GB HBM4，较前代 MI355X 的 288GB HBM3E 增加 50%。她称内存供应非常紧张，正与客户优化用量并要求伙伴扩大生产。TrendForce 于上月 29 日预计，HBM 与普通 DRAM 共用有限先进制程产能，供应紧张或延续至明年。报道称，双方今年 3 月签署以 HBM4 与下一代 DDR5 供应为中心的谅解备忘录，将三星定为 MI455X 用 HBM4 主要供应商，并讨论由三星代工生产 AMD 下一代产品。全永铉当时表示，三星可同时提供内存、代工与封装。