存储器

ChainCatcher 消息，美光科技副总裁李哲在首尔 COEX 举行的韩国半导体展 SEDEX 2026 上表示，公司正在研发面向物理 AI 的边缘推理存储器 EIM。业内预计该产品将于 2028 年下半年量产。美光正研究把 EIM 用于 LPDDR6，以服务自动驾驶、人形机器人等对低功耗 DRAM 的需求，并正与主要客户讨论相关产品。科创板日报报道，EIM 位于 AI 芯片与内存之间，做法是把 LPDDR 堆叠在逻辑芯片上，以高速处理推理数据，计算架构尚未完全公开。李哲称，目前机器人 AI 模型约 10 亿至 20 亿参数，带宽需求不高；更先进的视觉语言模型出现后，仅靠 LPDDR 不够，HBM 最终会用于人形机器人。美光预计，未来高性能人形机器人约需 200 GB DRAM 和 4 TB 存储，目前服务型机器人约为 12 GB DRAM 和 256 GB 存储。美光 CEO 桑贾伊·梅洛特拉称，人形机器人单机存储容量是普通 L2+ 乘用车的约 10 倍，存储行业或从 2030 年前后进入持续数十年的需求增长，原因包括需同步处理上百路传感器数据，并在本地运行大模型做毫秒级控制。Counterpoint Research 预计，全球人形机器人 DRAM 需求将从今年约 8300 Tbit 增至 2030 年约 17.2 万 Tbit。

ChainCatcher 消息，交易员 degentrading（@degentradingLSD）盘前分析，当前市场呈现以下几大信号：宏观层面：10Y 收益率升至 5.2%、30Y 升至 5.5%，接近历史高位；韩国股市开盘下跌 2.5%，存储器与半导体板块（SK 海力士、三星、MU、SNDK）普遍下跌 2%~5%，预计在 MU 财报发布前价格走势将持续震荡。新云计算：计算项目投资回收期已不足一年，市场认知正在转变，预计新云板块将迎来快速重估，电力瓶颈问题也日益受到关注。科技股：META 盘前走弱，关注 690 支撑位买入或历史新高突破机会，若超大规模数据中心板块整体突破，META、MSFT 等将迎来范式级重定价。加密市场：主流币与山寨币普遍走弱，BTC 或下探 82K 支撑位；上周已减持 TAO、DOGE 并止盈 CRDO 以释放风险资本。KBW 期间加密情绪通常偏正面，本周策略以寻找短线看涨机会为主。

ChainCatcher 消息，在 2026 世界制造业大会上，存储芯片厂商长鑫科技宣布第五代技术平台正式量产。据介绍，长鑫科技将内存阵列有源区半间距做到 11.95 纳米，存储器电容深宽比 45:1，核心动能区高度降至 6762 纳米。第五代工艺平台的存储密度有大幅提升，同等条件下每张晶圆产出较上一代平台提升 50% 以上。基于该平台打造的 24GB LPDDR5X 产品已进入正式量产，并进入国产主流旗舰手机。

ChainCatcher 消息，TrendForce 最新存储器产业研究指出，NOR Flash 市场正经历近十年来最显著的供需结构转变。AI 相关产品正吸收大量产能，供应商即使高端应用需求持续增长，也难以大幅增加 NOR Flash 位元产出。因此，2026 年下半年供需预计仍将失衡，整体合约价维持高位。尽管台湾和中国供应商已增加资本支出并扩产，新产能无法立即转化为市场供应。新产出需先经过制程迁移、良率爬升、产品认证和客户设计导入，中高容量段供应短缺短期内难以缓解。Winbond 预计 2026 年位元增长最强，受 45nm NOR 全面量产及向 25nm、20nm 迁移推动。GigaDevice 正升级 32Mb 及以上产品制程，上半年有效产出受限。MXIC 将额外 12 英寸产能优先用于 NAND 和 eMMC，限制 NOR 晶圆投入增长。2026 年 AI 和航空航天通信成为主要新增需求来源。AI 服务器 NOR 用量为传统服务器的 3-5 倍，边缘 AI、AI PC、机器人及低轨卫星等推动高密度需求。2026 年上半年合约价累计平均上涨 100–120%。下半年 256Mb 及以上产品平均价格可能再涨 90–110%，128Mb 及以下产品 4Q26 价格上涨 10–20%。

ChainCatcher 消息，SK 海力士 9 日表示，下一代存储器 3D DRAM 半导体开发可利用代工工艺。此前一日，该公司在利川园区 Supex 中心举行的 2026 SK 海力士未来论坛上，副社长金庆勋、孙浩英提出 3D DRAM 主要技术方向，包括 DRAM 外围电路采用逻辑代工工艺、最大化数据总线带宽、超短距离传输等。3D DRAM 是将原先平面铺设的存储单元垂直堆叠以提高集成度的下一代 DRAM。两人表示，实现该技术除设计与发热问题外，还需一并解决微细互连、键合、工艺整合等封装领域难题。随着前道与后道封装、代工与存储器技术边界趋近，超越既有领域的共同优化将更重要。孙浩英称，3D 技术正在改变晶圆厂与封装的技术边界，需与先进封装技术创新一起，建立超越既有领域的优化与新协作体系。同主题发表的高丽大学教授申昌焕表示，3D DRAM 不仅是芯片垂直堆叠，更是打破存储器与逻辑边界的技术；随着器件微细化接近极限、系统与存储器间数据移动带来的时间与功耗增加，转向 3D 技术不可避免，并提议以人工智能联动材料、器件、封装、架构四领域的 3D 集成设计框架。SK 海力士社长郭鲁正在致辞中称，过去存储器市场像比谁跑得更快的直线道路，现在则像时刻变化的弯道，除内部能力外，把握外部环境变化速度与方向并灵活适应也很重要。

ChainCatcher 消息，日经中文网 9 月 3 日报道，来自英伟达的人工智能服务器相关需求正在助推半导体存储器 DRAM 行情加速走高。用于个人电脑等设备的通用 DRAM 产品价格环比上涨 5%，面向工业设备的产品出现两位数上涨。存储厂商优先供应 AI 服务器专用内存，其连锁效应正在进一步扩散。DRAM 除用于个人电脑、相机、智能手机之外，也搭载于数据中心的 AI 服务器等设备，承担数据临时存储功能。存储器厂商作为卖方，设备厂商、模块厂商作为买方，按月度或季度开展谈判确定大宗交易价格。用于 PC、游戏机、服务器的通用型号 DDR5 的 16Gb 规格产品 7 月大宗交易价格敲定在约 40.2 美元，环比上涨 5%。价格实现连续 7 个月走高，电子商社高管表示已经刷新历史最高价位。

ChainCatcher 消息，美光科技 CEO 宣布成立美光研究实验室（Micron Research Labs），计划投入 100 亿美元，投资周期以数十年计。该实验室将汇聚客户、供应商、学术界、政府及更广泛的半导体生态系统，致力于突破现有技术路线图，探索未来可能性。美光方面表示，此举体现了对早期创新的长期承诺。公司团队已累计获得超过 6.2 万项专利。美光研究实验室将加入美光在美国制造业超过 2500 亿美元的投资布局，预计创造逾 9 万个美国就业岗位，涵盖晶圆厂、工程师、技术员、学徒、供应商及社区等。美光强调，当前决策将决定谁能引领未来 AI 经济，美国的 AI 未来将建立在美国制造的存储器之上，而这些存储器由美光生产。

ChainCatcher 消息，据工商时报报道，在 AI 带动存储器及先进封装需求长期成长下，华邦电提前启动高雄路竹厂扩产规划，将原定二、三期整并为 Module B 同步开发，预计 2027 年动工兴建无尘室，最快 2029 年初开始装机，并依客户需求预测及 LTA 分阶段导入设备。目前已有客户提前洽谈 2029 年、2030 年产能。法人指出，华邦电第三季利基型 DRAM 与 SLC NAND 供不应求，价格季涨幅估约 50%；NOR Flash 受惠云端服务供应商大客户备货，价格季涨幅估约 30%。第四季存储器价格涨幅估收敛至 2% 至 5%，但受惠 DRAM 产能增加及出货量成长，营收及获利仍可维持季增。华邦电第二季合并营收 598.43 亿元，季增 56.4%、年增 184.7%，DRAM 价格季增约 100%、Flash 上涨约 43%，合并毛利率升至 66.2%，每股税后纯益 5.40 元。Module B 产品规划涵盖 Standard DRAM、CUBE DRAM、Wafer-on-Wafer（WoW）及硅电容（Si-Cap），将支持 14 纳米及未来 12 纳米 DRAM 制程，后续亦规划导入 EUV 设备。

ChainCatcher 消息，高盛发表研报指，三星电子第二季营业利润符合预期，该行上调其 2026至 2028 年每股盈利预测约 2%，并将 12 个月目标价由 48 万韩元上调至 49 万韩元。该行预期存储器需求将大幅超越供给，2027 年差距将扩大，2028 年供应仍将偏紧。 高盛指出，该公司与主要数据中心客户签订长期协议，将提供较佳盈利能见度及下行保护。 此外，该公司目标成为 AI 存储器市场领导者，HBM4 预计 2026 年下半年占 HBM 收入逾 60%，并预期股东回报有显著上行空间。该股目前以 2027 年预测市盈率 3.1 倍及市账率 1.2 倍交易，股东回报率接近 50%。