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ChainCatcher 消息，三星电子和 SK 海力士计划于明年第二季度开始量产并交付 8 层 HBM4，供应给英伟达。据知情人士透露，英伟达将根据 Rubin Ultra 的 NVL 机架规模配备 8 层 HBM4，预计从明年年中开始，8 层 HBM4 的比例将显著增加。

ChainCatcher 消息，据 DealSite 报道，存储芯片厂商 SK 海力士在扩大第六代高带宽内存 HBM4 量产的同时，部分后道设备业内人士认为扩产速度慢于预期，今年计划追加的部分设备订单可能推迟至明年。设备业人士称，原定今年下半年交付的部分设备出现延后迹象，后续订单计划也尚未明确。有匿名人士表示，部分原计划今年投入的设备或改至明年，已交付设备是否满负荷运转也尚无数据确认。明年 HBM4 相关投资计划尚未具体传达给部分合作方，今年订单已大体完成，但未见明确的增减投资信号。报道称，设备投资日程与产品质量问题之间的直接关联尚未得到确认。大信证券研究员柳亨根认为，主要客户 HBM4 质量问题导致业绩低于预期的担忧过度，后道环节或曾出现部分问题，但难以视为无法解决的风险，也尚未到讨论不良赔偿的阶段。另有业内说法称，在通用内存价格上涨背景下，部分 HBM 投资或转向通用内存。SK 海力士计划优先向龙仁集群 Y1 晶圆厂首个洁净室导入 DRAM 生产设备，业界预计初期产线采用第六代 10 纳米级 1c 工艺，新增产能将优先分配给通用 DRAM。也有观点认为，仅凭部分后道设备日程变化，尚不足以判断 HBM4 量产受阻，SK 海力士已向主要客户供应 HBM4 16 层样品。

ChainCatcher 消息，TrendForce 10 月 12 日援引 Chosun Biz 报道，随着 AI 封装容纳更多计算与存储芯片，连接计算芯片与 HBM 的中介层预计大幅变大，下一代 HBM 散热更重要。三星电子正准备多项技术，应对计划于明年开始量产的 HBM4E 散热挑战。当前 AI 中介层面积已约为 EUV 光刻机单次曝光最大面积 858 平方毫米的 5.5 倍。半导体设备业人士预计，承载 HBM 的中介层可能扩大到该面积的 9 倍、12 倍，最终约 40 倍。原因包括制程微缩受限和 chiplet 式 2.5D 封装普及，单一先进制程芯片难以满足 AI 算力需求，多个计算 chiplet 与 HBM 堆叠被放在同一中介层上。三星考虑混合铜键合与热路径块。前者以铜对铜直接连接取代堆叠 DRAM 晶粒间的微凸点，可缩小层间间隙、使堆叠更薄并改善散热，三星曾在 2026 年 3 月 NVIDIA GTC 展示。热路径块在 HBM 基底晶粒负责与 GPU 高速传输的 D2D PHY 区域建立专用热路径，三星正用 HBM4E 验证，并计划在 HBM5 导入。据 ETNews，SK 海力士的 iHBM 在热量集中的 D2D PHY 周围放置高导热但电绝缘的冷却材料，预计可将热阻降低约 30%。

ChainCatcher 消息，据韩国经济日报报道，三星电子的下一代高带宽内存 “12 层 HBM4E” 产品已通过英伟达及主要超大规模数据中心运营商的质量验证。

ChainCatcher 消息，据 Money Today 9 月 21 日报道，三星电子因 HBM 市场增长正推进晶圆代工先进制程产能扩张，为应对 HBM4 基座芯片需求上升正在评估 4 纳米制程扩产。三星 HBM4 由 10 纳米级 6 代（1c）DRAM 核心芯片与 4 纳米逻辑基座芯片组成，基座芯片负责与 GPU 等 AI 加速器高速交换数据。与 SK 海力士采用台积电 12 纳米不同，三星对 HBM4 基座芯片使用自有 4 纳米制程。该产线已满负荷运转并承接英伟达 Groq 3 LPU 等订单，公司近期上调了 4 纳米新订单及 HBM4 基座芯片报价。三星预计第三季度 HBM4 营收环比增逾 3 倍，下半年 HBM 营收中 HBM4 占比将明显高于 60%。平泽 P4 追加扩产大部分将用于 HBM 用 1c DRAM，晶圆代工 4 纳米产能一半以上已分配给 HBM4 基座芯片。HBM4E 同样采用 4 纳米基座芯片，三星已于 5 月向客户提供样品。公司还在评估为 HBM5 建设 2 纳米新产线，目标以 GAA 结构 2 纳米制程并提高 TSV 密度，使运行速度较 HBM4E 提升 50% 以上。三星去年下半年启动 2 纳米第一代量产，今年下半年推进第二代产品。花旗预计明年全球 HBM 比特需求达 752 亿 Gb、同比增 62%，供应约 594 亿 Gb、缺口约 21%；

ChainCatcher 消息，据首尔经济报道，三星电子计划明年将第六代高带宽存储器 HBM4 与第七代 HBM4E 等 HBM4 系列产量较今年至少扩大一倍以上。该公司拟将 HBM 用 DRAM 薄化加工所需玻璃载体外协清洗量，由今年每月 2 万片增至明年每月 5 万片，较今年增加 2.5 倍。去年该载体月需求约 1 万片，今年已较去年翻倍。三星电子重点扩产的 HBM4 与 HBM4E 以 12 层及以上高堆叠产品为主。该公司今年 2 月开始量产出货采用第六代 10 纳米级（1c）DRAM 与 4 纳米工艺基底芯片的 HBM4，5 月向英伟达等客户提供 HBM4E 12 层样品。业界预计，以月均晶圆投入计，三星电子 HBM 产能将由今年约 18 万片增至明年约 25 万片，增幅近 40%；HBM4 系列出货占比或由今年约 40% 升至明年约 80%。

ChainCatcher 消息，KB 证券 9 月 11 日发布报告指出，三星电子 HBM 市场份额有望从第二季度的 33% 提升至第四季度的 40%，主要得益于 HBM4 第三季度销量环比增长超过三倍，且下半年 HBM4 预计占其 HBM 总销售额的 60% 以上。三星电子已确立 HBM4 全面量产、向核心客户供应 HBM4E 样品、采用 1c 核心裸片与 2 纳米基础裸片的 HBM5 架构以及下一代 ZHBM 的路线图。其代工业务方面，4 纳米良率稳定在 80% 以上，2 纳米 GAA 良率快速提升至 70% 以上。KB 证券分析师 Kim Dong-Won 表示，代工业务自第三季度起有望扭亏为盈，2 纳米良率年内或助其斩获美国大客户订单。

ChainCatcher 消息，三星电子晶圆代工事业部在 4 纳米工艺中，分配给第六代高带宽存储器 HBM4 用基底芯片量产的比重最近突破 50%。业界称，该事业部今年下半年将超过一半的 4 纳米晶圆投入 HBM4 基底芯片制造，以配合向英伟达、博通、AMD 等扩大供应。三星于今年 2 月率先启动 HBM4 量产出货，并计划自第三季度起扩大供应量，自年中起显著增加相关晶圆投入。该芯片基于三星晶圆代工 4 纳米（SF4）工艺。截至上月，其全部 4 纳米产能中超过 50% 已分配给 HBM4 基底芯片。知情人士称，三星 4 纳米目前处于满产，其中 HBM4 基底芯片占比约 50% 至 60%，下半年将维持高占比。三星在平泽 2 厂与 3 厂的晶圆代工产线量产 4 至 7 纳米级工艺，其中 4 纳米产能约每月 3 万片，据此估算 HBM4 基底芯片相关晶圆投入约每月 1.5 万片。三星在第二季度业绩电话会上表示，预计第三季度 HBM4 营收环比扩大 3 倍以上，下半年 HBM4 营收将超过公司整体 HBM 营收的 60%。

ChainCatcher 消息，据韩国媒体报道，三星电子正配合英伟达 (NVDA.O) 要求开发 8 层第七代高带宽存储器（HBM4E），较原计划的 12 层、16 层方案显著降低堆叠高度，英伟达提出的速度规格为 17-18Gbps，较三星初期 HBM4E 14.4Gbps 的样品速度高出约 20%，该产品据报将用于 NVHBM。

ChainCatcher 消息，SemiAnalysis 发布最新一期播客节目，其中指出，SK 海力士和美光在实现最高的 HBM4 速度方面一直面临挑战。特别是 SK 海力士不得不重新设计其基础芯片，导致 HBM4 供应给 NVIDIA Rubin 平台的交付延后。三星目前拥有最好的 HBM4 技术。博通传统上高度依赖三星为其 HBM 供应。三星在 HBM3E 一代的表现不佳，这对博通的 ASIC 构成了劣势。然而，现在三星凭借 HBM4 领先于其竞争对手，这种相同的供应链关系已成为 Jalapeño 的优势。

ChainCatcher 消息，据首尔经济报道，三星电子正开发符合英伟达要求的 HBM4E（第七代）8 层产品，以抢占其定制高带宽存储器 NVHBM 供应的核心合作伙伴地位。该产品较原计划的 12 层、16 层降低堆叠高度，英伟达提出的速度规格为 17-18Gbps，较三星初期 HBM4E 样品速度（14.4Gbps）高出约 20%，将用于英伟达公开的 NVLink 优化规格的 NVHBM。采用 8 层与以往通过增加堆叠层数提升容量的 HBM 竞争逻辑相反，可降低后工序难度与良率压力，有利于扩大供应，被视为英伟达缓解内存短缺的策略。NVHBM 有望自明年推出的下一代 AI GPU“Rubin Ultra”起应用，该 GPU 将 GPU 间连接规模从 72 个最高扩至 576 个，通过搭载更快 HBM 的数百个 GPU 协同提升整体算力。在定制 HBM 市场，三星相较 SK 海力士、美光更具竞争力，因 NVHBM 需 DRAM 与基于逻辑芯片的基裸片设计生产能力，三星可一体化应对。业界人士称，三星已在 HBM4 验证业界最高水平速度，可在速度竞争中发挥优势。

ChainCatcher 消息，三星电子与 SK 海力士计划在今年下半年增加对英伟达的 8 层 HBM4 内存供应量。此举受英伟达供应策略影响，旨在保障 HBM 内存供应稳定，并兼顾产品发热量。

ChainCatcher 消息，SemiAnalysis 发文称，Nvidia Rubin Ultra 将搭载 192GB 的 HBM4 8-hi 内存。这不仅较最初预览的 1TB HBM 出现大幅下调，甚至低于常规版 Rubin 的 288GB 容量。HBM 配置被削减至原先约五分之一的原因包括：四裸片 Rubin Ultra 方案取消后，cube 数量减至 8 个；堆叠高度由 16-hi 降至 8-hi；并采用使用 24Gb 裸片的 HBM4，而非 32Gb 裸片的 HBM4E。后续或推出 8-hi HBM4E 升级版本。

ChainCatcher 消息，据瑞银对 Vera Rubin 超芯片物料清单（BOM）的分析，内存半导体在该平台总成本中的占比已升至约 62 %，较上一代 Blackwell Ultra（GB300）的 53 % 大幅提升。Vera Rubin 超芯片（含 1 颗 Vera CPU 和 2 颗 Rubin GPU）总成本约 38,902 美元，其中内存相关成本达 24,297 美元。HBM4 成本约 4,943 美元（占总成本 12.7 %），而连接 CPU 的 SOCAMM2 成本约 19,355 美元（占总成本 49.8 %），成为内存成本上升的核心驱动。 SOCAMM2 是基于低功耗 DRAM LPDDR5X 的服务器内存模组，支持单 CPU 最高 1.5TB 容量。Vera Rubin NVL72 机柜（含 72 颗 Rubin GPU 和 36 颗 Vera CPU）共搭载 74.7TB DRAM，其中 HBM4 为 20.7TB，CPU 用 LPDDR5X 达 54TB，单机柜的 LPDDR 用量相当于约 4,500 部高端智能手机。不过，受 LPDDR5X 及 HBM4E 供应不确定性影响，英伟达正考虑下调下一代 Rubin Ultra 的 HBM 配置。

ChainCatcher 消息，三星电子发布2026年第二季度财报，营收 171.5 万亿韩元（约合 1188 亿美元），同比增长 130%，环比增长 28%，创单季历史新高；营业利润 89.5 万亿韩元（约合 620 亿美元），同比增长 1813.8%，环比增长 56.4%，超市场预期约 5%；净利润 71.62 万亿韩元（约合 496 亿美元），同比暴增 1299.9%。每股收益 10849 韩元，同比增长 52%。 设备解决方案（DS）部门营收 127.5 万亿韩元，营业利润 89.2 万亿韩元，环比增长 56%，内存业务受AI服务器需求驱动，营收和利润均创历史新高。HBM4 已量产出货，HBM4E 样品已向主要客户交付。设备体验（DX）部门营收环比下降 9%，其中 MX 业务受元器件成本压力影响，营收 33.2 万亿韩元，录得营业亏损 0.7 万亿韩元。 三星预计下半年服务器 DRAM、eSSD 及 HBM 需求将持续强劲，市场供应偏紧格局将延续，但移动和 PC 端需求可能出现部分放缓。公司将扩大 HBM4、DDR5、SOCAMM2 等高附加值产品销售，并通过第二代 2nm 工艺量产新移动产品，目标实现代工业务两位数营收增长。