封装

ChainCatcher 消息，英伟达表示，Amkor 计划到 2028 年底将先进封装产能提高逾 300%。

ChainCatcher 消息，据 THE ELEC 报道，三星电机于 10 月 19 日公告，已与一家全球大型企业签署内存半导体用封装基板供应合同，金额为 3605 亿韩元。合同期为 2027 年 1 月 1 日至 12 月 31 日，相当于公司去年合并营收的 3.2%。这是三星电机首次披露封装基板长期供应合同。计入本次后，公司今年已披露的长期供应合同增至 7 笔，累计金额约 4.3 万亿韩元。此前合同主要集中在硅电容器、多层陶瓷电容器和电感器等元件业务，此次扩展至封装解决方案业务，该业务生产 FC-BGA 基板和 BGA 基板等产品。三星电机上月公告，将分别向世宗 FC-BGA 生产设施和越南封装基板生产设备投资 4.27 万亿韩元、2.51 万亿韩元。公司还表示，作为政府大型项目的一部分，计划到 2040 年向世宗事业场投资 8 万亿韩元、向釜山事业场投资 15 万亿韩元，并在釜山、世宗和越南生产 FC-BGA。三星电机相关人士称：AI 与高性能计算市场增长使高性能封装基板更重要，公司将加强客户供应合作并建立稳定供应体系。

ChainCatcher 消息，三星电机与高通正在共同开发用于 2.1D 封装的有机桥技术，相关开发与验证已进行一年以上。有机桥类似英特尔 EMIB 所用硅桥，但采用有机材料并以基板工艺制作，用于连接同一封装内的多颗半导体芯片。三星电机在带凹槽的 FC-BGA 基板中埋入有机桥，连接高通芯片并评估性能与可靠性。高通正考虑将其用于数据中心大型多芯片半导体，并于 2024 年 10 月申请相关专利。三星电机还与多家其他客户并行开发该技术。有机桥目标为 5 至 7 层再布线层，线宽与间距 1.5 至 2 微米、过孔 4 至 5 微米，芯片间图案密度达每毫米 500 至 1000 个。三星电机自行试制评估样品，同时评估外部供应，并与三星电子晶圆代工厂合作进行封装评估。

ChainCatcher 消息，摩根士丹利表示，尽管市场预期数据中心投资将放缓，但由于先进芯片封装需求保持强劲，AI 半导体供应商的增长到 2028 年可能持续超过更广泛的云支出增长。预计 2028 年先进封装总产能将增长约 50%，而云服务提供商的资本支出增幅为 12%。

ChainCatcher 消息，SK 海力士 9 日表示，下一代存储器 3D DRAM 半导体开发可利用代工工艺。此前一日，该公司在利川园区 Supex 中心举行的 2026 SK 海力士未来论坛上，副社长金庆勋、孙浩英提出 3D DRAM 主要技术方向，包括 DRAM 外围电路采用逻辑代工工艺、最大化数据总线带宽、超短距离传输等。3D DRAM 是将原先平面铺设的存储单元垂直堆叠以提高集成度的下一代 DRAM。两人表示，实现该技术除设计与发热问题外，还需一并解决微细互连、键合、工艺整合等封装领域难题。随着前道与后道封装、代工与存储器技术边界趋近，超越既有领域的共同优化将更重要。孙浩英称，3D 技术正在改变晶圆厂与封装的技术边界，需与先进封装技术创新一起，建立超越既有领域的优化与新协作体系。同主题发表的高丽大学教授申昌焕表示，3D DRAM 不仅是芯片垂直堆叠，更是打破存储器与逻辑边界的技术；随着器件微细化接近极限、系统与存储器间数据移动带来的时间与功耗增加，转向 3D 技术不可避免，并提议以人工智能联动材料、器件、封装、架构四领域的 3D 集成设计框架。SK 海力士社长郭鲁正在致辞中称，过去存储器市场像比谁跑得更快的直线道路，现在则像时刻变化的弯道，除内部能力外，把握外部环境变化速度与方向并灵活适应也很重要。

ChainCatcher 消息，力成、京元电及矽格8月营收均呈年月双增，力成、矽格连续两月改写历史新高。力成8月合并营收85.58亿新台币，月增3.48%、年增24.46%，继7月首度突破80亿元并创历史新高后8月再刷新纪录，累计前八月营收612.58亿元，年增30.83%。京元电8月营收40.80亿元，月增2.23%、年增31.58%，累计前八月营收294.04亿元，年增35.53%。矽格8月营收20.7亿元，月增近3%、年增近29%，累计前八月营收152.6亿元，年增逾20%。力成今年主要成长来源仍是存储器封测需求回升。力成先前预期第三季营收将呈个位数季增，第四季还有机会高于第三季，存储器订单动能可望延续至年底，明年初市况正向。除存储器本业外，先进封装成为下一阶段布局重点，旗下面板级封装已获美系客户采用，P11厂产能由客户包下，规划2027年中进入整合ASIC与HBM的AI芯片量产阶段。京元电近年积极扩充高阶测试产能，AI相关产品已成为推升营运的重要力量，AI GPU、ASIC及高速运算芯片测试需求仍是其主要成长来源。矽格指出，AI及高速互连需求强劲，包括CPU、GPU、ASIC及AI加速器等高性能运算芯片需求增加。矽格2月新购湖口厂区完成无尘室建置后于7月投入量产，目前产出达该厂总产能40%，逐步承接国外客户新增需求。

ChainCatcher 消息，中国封测龙头长电科技于 9 月 7 日宣布，计划通过非公开发行股票募集不超过 65 亿元人民币（约合 9.68 亿美元），用于 AI 芯片先进封装产能扩张及相关技术研发。 本次募资将主要投向高密度系统级封装、晶圆级封装等面向 AI 计算芯片的产线建设，以应对来自英伟达、AMD 等客户的订单需求。长电科技表示，AI 芯片对封装技术的带宽和散热要求显著提升，现有产能已接近满负荷运转。目前该募资方案尚需获得股东大会及监管机构批准。

ChainCatcher 消息，据 DIGITIMES 报道，在 Semicon Network Summit 2026 上，行业代表指出硅光子产业瓶颈已从材料转向封装精度与异质集成。Marvell CTO 表示，铜互连接近物理极限，端到端光互连已不可避免。 TNO/Holst Centre 指出，CPO 的真正挑战在于将 LiNbO3、InP 等光学材料与 CMOS 平台整合。TSIA 表示封装环节已要求微米级光纤对准精度，台湾在芯片与封装领域具备全球领先优势。TNO 进一步指出，面板级封装是台湾的关键机会，可借助大尺寸玻璃基板处理经验支撑数据中心光互连的大规模需求，但 Chip-to-Wafer 键合设备等仍存在技术缺口。Marvell 表示其硅光子芯片对台湾供应链的依赖正在上升。

ChainCatcher 消息，据材料行业消息人士 9 月 2 日透露，台积电预计短期内继续使用传统微凸块技术而非混合键合，用于连接高带宽存储器 HBM 与 AI 加速器的先进封装。考虑到相关材料开发周期，更细间距微凸块预计将沿用至 HBM4 后期及 HBM5 早期。台积电已要求材料和设备合作伙伴开发约 5 微米级凸块的键合和底部填充解决方案，韩国和日本供应商已开始开发，5μm 级凸块量产预计于 2028 年下半年开始。目前第三代扩展 HBM 即 HBM3E 的凸块高度约 15–25μm，HBM4 接近约 10μm。日本材料供应商此前表示难以保证 15μm 以下品质。缩短并细化凸块是因为 HBM 立方体高度限制及更高互连密度需求。JEDEC 规定 HBM 堆叠最大高度为 775μm。在台积电先进 CoWoS 封装中，GPU 与存储器供应商已组装的 HBM 堆叠通过微凸块安装到硅中介层上，16 层 DRAM 晶粒堆叠由 SK hynix 和三星电子等在 HBM 封装内完成。第一代和第二代 HBM 使用较大焊料凸块，微凸块在 HBM3 代左右成为主流。SK hynix 使用 MR-MUF 工艺，三星电子使用 TC-NCF。混合键合通过直接键合铜焊盘可实现更薄更密互连，台积电已在 SoIC 平台用于逻辑芯片堆叠，但 HBM 仍以微凸块连接中介层。

ChainCatcher 消息，SK 海力士首席执行官 Kwak Noh-Jung 表示，公司正在研究深化与日本存储芯片客户及供应商合作的方式，并谨慎评估如何共同发展 NAND 闪存市场。对于公司在铠侠持有的重要间接权益，他表示目前「没有任何确定计划」。东芝本月减持后，为 SK 海力士持有相关股份的投资工具 BCPE Pangea Cayman2 已成为铠侠最大股东，持股比例为 14.19%。SK 海力士持有可转换为该投资工具几乎全部投票权的债券；根据此前协议，除非获得铠侠同意，其投票权益在 2028 年前不得超过 15%。此外，SK 海力士正投资逾 40 亿美元在美国印第安纳州建设其首座美国 HBM 封装基地。工厂洁净室预计于 2028 年 10 月启用，下一代 HBM 计划于 2029 年下半年量产，全面运营后预计将雇用约 1000 人。公司同时仍在评估美国 NAND 子公司 Solidigm 上市的可能性，但尚未作出决定。

ChainCatcher 消息，苹果首款 2 纳米 M6 芯片正式亮相，配备 12 核心 CPU、12 核心 GPU 及双 16 核心神经网络引擎，统一内存带宽最高达每秒 170GB，首波搭载于新款 Mac mini。该芯片由台积电 2 纳米制程打造，首度采用环绕栅极（GAA）纳米片晶体管，为全球最先亮相的消费级 2 纳米芯片。供应链关注后续高阶 M 系列封装架构。从前代 M5 Pro、M5 Max 的 Fusion Architecture 及 M5 Ultra 四晶粒设计推演，苹果芯片已由单一大型裸晶走向模块化。未来 M6 Pro、Max 或 Ultra 有望提升 SoIC-MH、WMCM 等先进封装需求，以 SoIC-MH 提高互连密度，WMCM 整合逻辑、LPDDR 内存及高速 I/O。台积电积极备战扩产，竹南 AP6 为 SoIC 主力量产基地，龙潭 AP3 升级 WMCM，嘉义 AP7 承接相关产能。法人预估 WMCM 月产能至 2026 年底约 6 万片，2027 年逾 12 万片。设备厂弘塑、均华、印能及材料厂长兴、新应材、永光等有望受惠。

ChainCatcher 消息，8 月 24 日，SK 海力士正在为其下一代 HBM 解决方案引入包括英特尔 EMIB 在内的先进封装技术，并计划最终迈入 3D 封装时代。在 2026 年的 Hot Chips 大会上，SK 海力士封装工程副总裁 Jaesik Lee 发表了题为「高带宽内存的先进封装」的报告，阐述公司将如何利用先进封装技术加速其 HBM 产品路线图。目前 SK 海力士正在探索混合键合等方法，以突破 16 层堆叠的限制。未来，SK 海力士还计划通过增加 TSV 数量、提高逻辑工艺集成的 IO 速度，以及优化电源分配网络来解决功耗挑战。截至发文时，SK 海力士韩股涨 1.71%。

ChainCatcher 消息，据经济日报报道，台积电先进封装 CoWoS 产能供不应求，业界传出后段部分订单已外溢至英特尔旗下马来西亚厂，由英特尔以部分产能协助封装，服务共同大客户，打破过往生态系竞争惯例。台积电董事长魏哲家此前在法说会上表示，台积电专注前段先进封装，后段短缺部分“乐见更多厂商供应产能”，为共同客户提供灵活替代方案。 报道指出，先进封装产能瓶颈主要在后段放量速度低于前段制程，CoWoS 产能缺口扩大迫使订单外溢。SemiAnalysis Chipbook 数据显示，已有约 13 亿美元 HBM 运往马来西亚，业界分析指英特尔当地厂应已具备大规模 HBM 整合能力。英特尔 CEO 陈立武表示，EMIB-T 技术正在确保可靠良率，CoWoS 产能不足背景下“英特尔处于能够提供支援的独特位置”。欣兴、日月光投控、家登等重叠供应链有望同步受惠，其中欣兴股价当日涨超 7%。英特尔 EMIB-T 相关应用目标 2027 年量产。

ChainCatcher 消息，据台湾媒体报道，英特尔下一代先进封装技术 EMIB-T 正面临严峻的良率挑战。ABF 载板供应商欣兴电子（Unimicron）在 7 月 29 日的财报电话会上表示，该技术“尚未成熟”，三家 EMIB-T 载板供应商（欣兴、揖斐电、新光电气）在 2027 年底首批量产阶段的良率目标仅为 50%。 EMIB-T 是英特尔对标台积电 CoWoS-L 的先进封装方案，区别在于将硅桥直接嵌入载板而非使用硅中介层，使载板供应商成为决定成败的关键环节。谷歌第九代 TPU 已确定在 2028 年量产时采用 EMIB-T 封装，联发科负责芯片协同设计，该芯片若成功量产，出货量有望挑战英伟达。欣兴电子表示，客户（英特尔）已提供利润保证机制，即便良率不佳仍能确保供应商盈利，50% 良率目标实现后利润率将高于公司平均水平。目前 EMIB-T 能否在 2027 年底前达成量产目标仍存较大不确定性。

ChainCatcher 消息，据电子时报报道，台积电（TSMC）计划进一步扩大其CoWoS先进封装中CoW（Chip-on-Wafer） 环节的外包规模，将更多封装订单交由ASE等OSAT厂商承接。CoWoS是台积电2.5D封装技术，将GPU等AI处理器与HBM通过中介层连接，其中CoW为芯片与中介层结合步骤，WoS为中基板封装步骤。此前台积电主要外包WoS环节，CoW仅少量委托。 此举旨在缓解因AI芯片需求持续飙升导致的封装产能瓶颈。台积电占据全球AI芯片制造市场约 90% 份额，但随着英伟达等厂商及AI数据中心自研芯片需求激增，产能已难以满足。业内预计OSAT将大幅增加设备投资，特别是在晶圆切割与键合等后工序领域。韩国多家激光加工及键合设备供应商已被证实正在与OSAT就CoW设备供应进行洽谈。

ChainCatcher 消息，英伟达资深副总裁 Gilad Shainer 在近日举行的技术论坛上宣布，CPO 已步入量产阶段。英伟达与供应链合作开发的交换机已开始交付给紧密合作客户，并在自家部署。预计今年起，搭载 CPO 技术的交换机将在全球 AI 工厂中大规模导入。 Shainer 指出，未来光通讯市场最大商机在于垂直扩展（Scale-up），其所需带宽效能将是水平扩展（Scale-out）的十倍以上。Shainer 此前在 Mellanox 负责研发，公司被英伟达收购后主持 AI 平台网络传输部门，并与台积电共同开发 COUPE 硅光子封装平台。这一宣布有助于打破市场对光通讯规格升级的疑虑，提振相关厂商营运展望。 据悉，英伟达已在 Spectrum-X 上先行导入 CPO，目标是配合即将大规模部署的 Vera Rubin AI 平台（运算速度较 GB300 至少提升三倍以上）。Trendforce 预估，CPO/NPO 市场规模将于 2030 年突破 390 亿美元，2028 至 2029 年随着 Scale-up 导入光互连，成长动能将显著加速。

ChainCatcher 消息，据 The Information 报道，台积电(TSM.N) 将开发 AI 芯片封装技术。 过去，封装一直被视为半导体制造中相对常规的工序，但随着 AI 需求激增，芯片设计公司需要将更多处理器和高带宽内存集成到越来越庞大、复杂的封装中，先进封装已成为行业最关键的瓶颈之一。英特尔开发了一种名为嵌入式多芯片互连桥（EMIB）的封装技术。 该技术利用小块硅桥在处理器与内存之间建立高速连接，由于能够支持更大规模的多芯片设计，从而打造性能更强的AI芯片，并帮助芯片设计商实现供应链多元化，因此吸引了英伟达(NVDA.O)等潜在客户的关注。 知情人士表示，在台积电内部，工程师将这一先进封装项目称为“类 EMIB”，并已与部分客户讨论过这一方案。

ChainCatcher 消息，稳定币发行商 Circle 在 X 平台发文宣布即将推出封装比特币 cirBTC，cirBTC 由 BTC 1:1 支持并可在链上验证，其设计旨在与 Circle 基础设施和更广泛的 DeFi 生态系统无缝协作，从而为新的链上应用创建一个中立的基础设施。