内存

ChainCatcher 消息，特斯拉 CEO 埃隆·马斯克 10 月 13 日在社交平台 X 上表示：一旦中国掌握某类产品的制造方法，其扩大生产规模的能力往往超过世界其他地区之和。他以锂电池和太阳能为例，称中国在这些领域已展现出这一特点。该言论是在回应一条关于内存厂商长鑫存储的讨论。发帖人 Melvin 认为，长鑫已是不可忽视的竞争对手，但新技术能否稳定实现大规模量产，仍取决于良率、成本和可靠性。他同时表示，内存需求仍在增长，产能增加并不意味着市场会立即供过于求。谈及内存，马斯克称，大约三年前内存仍属于利润率较低的大宗商品，LPDDR5 和 LPDDR6 按共同标准设计，中国似乎正在迅速解决相关技术问题。马斯克还指出，新一代高带宽内存架构更难攻克。另一类难题是在逻辑芯片下方放置一层 SRAM，并在上方将 RAM 进行三维堆叠，同时解决逻辑芯片的散热问题。凤凰网科技援引公开信息称，9 月 7 日，长鑫存储宣布 LPDDR6 已量产，并首次商用于小米 18 Fold，容量为 16 GB，符合 JEDEC 的 LPDDR6 标准。随后，长鑫宣布第五代 DRAM 工艺平台实现量产，并推出两款基于该平台的 LPDDR5X 产品，面向智能手机和便携式消费电子设备，单颗裸片容量较上一代同类产品提升 50%。

ChainCatcher 消息，据 Aptos 官方消息，Aptos 主网已正式上线加密内存池（Encrypted Mempool）功能。用户可选择在区块最终确定前对待处理交易进行加密，交易调用函数及输入内容在执行前保持加密状态，发送者地址与手续费信息仍对外可见。 该功能主要面向机构（避免大额订单提前暴露意图）、交易者（降低 MEV 套利风险）及 AI 智能体（确保交易输入在执行前保持私密）。

ChainCatcher 消息，中国存储芯片企业长鑫存储（CXMT）称，其在一种新存储结构上取得关键进展。三星电子与 SK 海力士也在推进同类结构，以提高存储密度。公司总裁曹侃宇在上海一场产业活动上表示，长鑫存储计划在 2026 年底前推出基于该结构的新服务器内存产品，相关说法来自公司声明。该结构为 4F² 设计，即每个存储单元占用面积为 4F²，其中 F 为半导体最小线宽。公司称，这一专有晶体管设计可通过在单颗芯片上容纳更多存储单元来提高存储密度，并改善效率。目前主流商用 DRAM 采用 6F² 单元结构。

ChainCatcher 消息，三星电子公布三季度初步业绩，营业利润较去年同期飙升 783%，环比增 20.01%，略超分析师预期。人工智能芯片需求激增推动内存业务盈利增长。三星预计 Q3 营业利润为 107.4 万亿韩元（约合 801.7 亿美元），营收为 195 万亿韩元，同比增 127%。

ChainCatcher 消息，据韩国经济日报报道，三星电子的下一代高带宽内存 “12 层 HBM4E” 产品已通过英伟达及主要超大规模数据中心运营商的质量验证。

ChainCatcher 消息，Bitcoin Core 贡献者 Peter Todd 已加入 MARA Foundation，担任 Slipstream 首席维护者。Slipstream 是 MARA 的私有比特币内存池服务，该基金会于周四宣布这一任命，Todd 将负责该服务的开发与运营。Slipstream 允许用户将比特币交易直接发送至 MARA Pool，无需经过比特币公共点对点网络。由于通过 Slipstream 发送的交易在区块确认前保持私密，该服务有助于在确认前隐藏关键信息，避免公钥暴露。今年 7 月黑客利用 Coldcard 硬件钱包漏洞窃取超 1.15 亿美元用户资金后，该服务发挥了作用。MARA 的 Slipstream 最早于 2024 年因发布大型 Ordinals 铭文而受到关注，近期被用于 Quantum Safe Bitcoin 及 Binohash 等研究项目。Todd 是长期 Bitcoin Core 贡献者，参与合著 BIP 125（replace-by-fee），创建 OpenTimestamps，并于 2024 年推出 Libre Relay。他认为内存池政策应遵循市场希望矿工打包的内容，而非限制人们使用比特币的方式。

ChainCatcher 消息，BidClub 播客第 166 期中，芯片设计师 Bubble boi 表示，高带宽闪存在技术上有吸引力，但缺乏决定性数据中心用例。他给出的信息是，所听说的主要客户是难以获得或生产高端 HBM 的中国客户。Bubble boi 称，HBF 与高端 AI 闪存延迟均约 5 微秒，带宽低于 HBM，单位比特成本更低但总成本可能相当。他认为最清晰的客户是无法获得 HBM 的主体，这与他从两到三人处听到的中国需求相符，因其无法充分制造加速器，或愿接受非领先规格产品。

ChainCatcher 消息，美光科技将于 9 月 30 日公布财年第四季度业绩。英伟达 CFO Colette Kress 在 8 月 26 日财年第二季度电话会议上表示，公司看到“内存极端定价条件”，价格涨幅已超出先前预期，并“将在明年进一步走高”。定价压力已体现在英伟达利润率上，Kress 指引毛利率在第四季度触底至 71%-72% 区间，随后在财年 2028 年回升至 72%-73%。Kress 表示当前内存短缺在很大程度上由 AI 建设本身驱动。SK 海力士预计内存市场最早到 2030 年才能达到供需平衡，并已投入约 383 亿美元通过 2031 年扩建韩国国内两个基地。SK 海力士持有约 50% 高带宽内存市场份额，领先于三星的 33% 和美光的 18%。

ChainCatcher 消息，Vitalik 在 X 平台发文表示，希望将递归 STARK 内存池提案 EIP-8288 纳入以太坊 I-star 升级，并称其可被视为 Frames 之后的下一步。 该方案可将量子安全签名数据置于链下，使签名成本降低；量子安全隐私交易的燃料成本也有望从约 1,000 万降至数万。方案通过依赖帧和递归 STARK 聚合交易依赖，节点每个时间周期发送一个约 100 至 300KB 的 STARK；链上额外开销为一个 STARK 及每条待证明语句 96 字节。

ChainCatcher 消息，韩国券商 KB Securities 警告，三星电子和 SK 海力士的存储半导体库存已降至不足 10 天供应量，明年可用供应将明显不足。该机构周一报告指出，人工智能基础设施投资以前所未有的速度扩张，存储芯片市场面临严重供应短缺。关键因素是向 HBM4 过渡，HBM4 所需晶圆约为传统 DRAM 的三倍，晶圆产能有限将减少传统 DRAM 可用产能。KB Securities 预计明年 DRAM 和 NAND 需求将超过供应 10 个百分点以上。研究主管 Kim Dong-won 表示，人工智能服务器将消耗 HBM、服务器 DDR5 和企业级固态硬盘，可能导致历史性短缺。全球超大规模数据中心运营商将明年人工智能基础设施投资预期上调至 1.3 万亿美元，较上年增长 60%。该机构预计明年存储半导体将占人工智能基础设施总投资的 57%，高于去年的 14%，TrendForce 预计这一比例可能高达 68%。三星电子股价较高点跌去近 28%，SK 海力士跌去近 40%。

ChainCatcher 消息，据蓝鲸新闻报道，从长鑫科技获悉，字节与中兴联合研发的新一代豆包手机——努比亚 NaviX Ultra，将搭载长鑫最高速率 10667Mbps 的 LPDDR5X 内存。官方表示，这也是国产 10667Mbps 高速 LPDDR5X 内存芯片首次实现量产落地应用。此前消息，努比亚“豆包手机”完成入网备案，9 月将量产上市。

ChainCatcher 消息，谷歌供应链基础设施高级总监 Nikhil Cherian 透露，为突破内存瓶颈，谷歌正在开发软件和硬件解决方案，并拆解退役服务器回收 DDR4 组件以建立内部回收供应链。谷歌已设计特殊硬件适配器，可将上一代 DDR4 连接到新一代人工智能服务器，同时进口退役服务器拆除其 DDR4 模块进行回收利用。Cherian 表示，人工智能行业已迅速从计算受限转向内存受限，高性能内存约占给定人工智能服务器物料清单成本的 75%。高盛报告指出，第三季度内存价格将继续增长，预计个人电脑 DRAM 价格上涨 18% 至 23%，服务器 DRAM 价格上涨 13% 至 18%。Trendforce 数据显示，8 月现货市场上 DDR4 8GB 和 DDR5 8GB 价格分别上涨至 142 美元和 133 美元。谷歌今年推出的两种 TPU ASIC 对内存进行了优化设计，称有望将内存需求降低至原来的六分之一。TPU8i 芯片采用专用分层内存设计，依靠高速 DDR5 内存架构执行主机级任务，每颗芯片搭载 288GB 的 HBM3e 高带宽内存。

ChainCatcher 消息，Google 宣布对 Android 应用提出两项新的质量要求，以应对由 AI 数据中心热潮引发的行业内存芯片短缺。其中一项重点在于降低应用内存使用并优化代码。Google 表示，移动行业正面临显著硬件供应限制，正在改变设备内存可用性，进而影响用户体验。为此，Google 在动态内存使用和位图使用等领域设立新性能阈值，并增加代码优化要求，以防应用卡顿和崩溃。公司将推出新工具，在应用超出阈值时提醒开发者优化。更多诊断工具将于今年晚些时候推出，包括可防止应用过度占用设备内存的 Memory Limiter 功能。开发者需在 2027 年 2 月前达到新阈值。此外，所有 Play Store 应用须在 2027 年 4 月前满足 Zero Tap Sign-In 要求，即在设备迁移时通过 Android Restore Credentials API 自动恢复用户登录状态。这些变化旨在帮助应用和游戏开发者在内存供应受限市场中继续提供优质体验，尤其针对价格敏感的低端设备。

ChainCatcher 消息，三星电子与 SK 海力士计划在今年下半年增加对英伟达的 8 层 HBM4 内存供应量。此举受英伟达供应策略影响，旨在保障 HBM 内存供应稳定，并兼顾产品发热量。

ChainCatcher 消息，据韩国《朝鲜日报》报道，韩国 DRAM 出口价格持续飙升，AI 驱动的 HBM 生产正在挤压普通内存供应。数据显示，本月 1 日至 20 日，韩国 DRAM 出口单价达到每公斤 9.2183 万美元，同比上涨 401%，较 2023 年 1 月低点上涨约 12.5 倍。高盛预计 DRAM 供应缺口将从今年的 5.0% 扩大至明年的 5.9%，并认为 AI 服务器所需的 HBM 以及大容量服务器 DRAM 正在吸收有限的生产产能，导致普通 DRAM 供应进一步收紧，供应短缺可能持续至 2028 年。TrendForce 预计，到明年底，三星、SK 海力士和美光用于 HBM 生产的晶圆投入量将占 DRAM 总晶圆投入的 30%，但 HBM 占实际 DRAM 比特供应量仅约 13%。内存厂商警告，AI 需求推动的 DRAM 和 NAND 供应紧张可能持续至 2027 年以后。SK 海力士表示，从供应端来看 2027 年可能成为内存行业历史上最严重的短缺年份。

ChainCatcher 消息，小米正式发布玄戒 O3 芯片。新一代玄戒 O3 是全球首个支持 LPDDR6 内存芯片的旗舰移动处理器（SoC）。财联社记者从供应链获悉，国内存储龙头长鑫存储（CXMT）是小米玄戒 O3 的 LPDDR6 内存核心合作伙伴。今年 3 月已有消息称长鑫 LPDDR6 已向关键客户送样，8 月初多家媒体报道其接近验证尾声。本次随玄戒 O3 落地，是国产 LPDDR6 芯片产品首次在旗舰级处理器上实现应用，也意味着国产低功耗内存正式跻身全球第一梯队。

ChainCatcher 消息，据 BeInCrypto 报道，美光科技（Micron）CEO Sanjay Mehrotra 在爱达荷州博伊西总部附近的半导体制造厂表示，内存已成为 AI 时代的战略基础设施，AI 驱动的需求增长将永久重置这一周期性行业的经济逻辑。财务数据方面，Micron 第三财季营收达 414.6 亿美元，同比去年 93 亿美元大幅增长，毛利率升至 84.6%，并预计第四财季毛利率将进一步提升至约 86%。供应端，数据中心客户的需求约为 Micron 可承诺供应量的 150%，缺口显著。Mehrotra 还将自动驾驶汽车、机器人及 AI 消费设备列为未来增量需求来源。

ChainCatcher 消息，据《科创板日报》报道，随着三季度原厂价格进一步上行，本月服务器 DDR5 价格上涨15%至23%， 32GB / 64GB / 96GB DDR5 RDIMM 分别上涨至900/1590/2650美金。现货服务器 RDIMM 市场上，贸易端 32GB D5 介于1800~2100美金， 64GB D5 介于3000~3200美金， 96GB D5 介于3800~4100美金，合约与现货 DDR5 尤其是 96GB 的价差呈现收窄趋势。原厂 DDR5 供应依然维持供不应求，不过随着合约价逐季上涨，服务器大客户对内存成本的上涨更为敏感，加之长协相继落地，大客户 D5 供应得到一定保障， DDR5 涨幅预计将更加温和。 

ChainCatcher 消息，据 TrendForce 最新研究，受内存等元器件涨价推动，预计256GB iPhone 18 Pro 物料成本将同比上涨约 38%，零售价上涨难以避免。苹果可能通过牺牲部分毛利率来缓和涨价幅度，以维持出货量和市场份额。分析显示，过去两代 Pro 机型中内存占 BOM 成本比例已从一年前的约 10% 升至 2026 年 Q3 的约 34%，预计 2027 年上半年 将超过 40%，内存已成为 iPhone 最大单一成本项，取代了应用处理器和显示屏的传统主导地位。 TrendForce 指出，安卓厂商面临更大利润挤压，中低端机型尤其承压，部分品牌可能被迫大幅涨价或停产负毛利产品线。自 2025 年初 以来，内存价格已上涨 5 至 7 倍，预计从 2026 年下半年 至 2027 年，全球智能手机产量将持续承压。苹果可能也会在新品发布时同步调整旧款机型定价，以部分对冲内存成本上升的影响。