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first_img 三星の第3四半期営業利益は107.4兆ウォンで、SKハイニックスは水曜日に決算を発表しました。

《科创板日报》によると、韓国のメモリーチップ企業SKハイニックスとサムスン電子は今週、それぞれ2026年第3四半期の業績を発表する予定で、SKハイニックスは水曜日に、サムスン電子は木曜日に発表する。報道によれば、AIチップの需要が高まり、メモリーチップの価格が上昇する中、両社は強力な業績を示す見込みで、第3四半期の合計営業利益は184.4兆ウォン、約1391億ドルに達すると予想されている。サムスン電子が10月8日に発表した初期業績によれば、第3四半期の売上高は前年同期比127%増の195兆ウォン、営業利益は107.4兆ウォン、約801.7億ドルで、前年同期は12.17兆ウォンで、ほぼ8倍の成長を遂げた。FnGuideの調査によると、SKハイニックスの第3四半期の売上高は98.2兆ウォン、営業利益は77兆ウォンと予想されている。2025年にはサムスンとSKハイニックスの営業利益はそれぞれ43.6兆ウォンと47.2兆ウォンに達し、合計90.8兆ウォンとなる見込みである。予測が実現すれば、サムスンは四半期営業利益が100兆ウォンを突破する初の韓国企業となる。10月23日の取引終了時点で、サムスンとSKハイニックスの株価はそれぞれ6月末から36%と52%下落している。報道によれば、投資家は好調な決算を予想通りと見なし、注目点はHBM4の供給、長期契約、株主還元などである。TrendForceは来年のHBMの販売平均価格が今年より121%上昇すると予測しており、サムスンとSKハイニックスの来年の生産量はすでに売り切れている。第2四半期の決算で、サムスンは5社のデータセンター顧客との長期契約を締結したことを明らかにし、SKハイニックスは10社以上の顧客と数年契約を確定した。サムスンは今年90兆ウォンから110兆ウォンの株主還元計画を発表し、今月末に約30兆ウォンの第3四半期の現金配当を決定する予定である。SKハイニックスは8月に40兆ウォンの自社株買い計画を発表し、Solidigmの上場評価を進めるのを停止した。KB証券の責任者であるキム・ドンウォン氏は、株価が大幅に調整されたにもかかわらず、両社の利益予想が引き上げられ、株式の再評価の鍵となる触媒は利益成長の持続可能性と株主還元の強化ができるかどうかであると述べた。

first_img 三星とSKハイニックスに大規模に投資したため、韓国最大の年金基金が1300億ドル以上の巨額損失を被った。

金融データ提供業者FnGuideが最近発表したデータによると、10月15日現在、韓国国民年金公団(NPS)は287社の上場企業の中で、持株比率が5%以上の株式の総評価額が、6月末の515.93兆ウォンから333.53兆ウォンに縮小し、帳簿上で約182兆ウォン、約1370億ドルの減少となっています。縮小は主にこのファンドが重視している三星電子とSKハイニックスに関連しています。NPSが保有するSKハイニックスの時価総額は約74.2兆ウォン蒸発し、三星電子の保有時価総額は56.9兆ウォン縮小し、これら2銘柄は保有時価総額の総減少幅の約72%を占めています。NPSは韓国で最大の年金基金であり、6月末時点で管理資産規模は1866兆ウォン、約1.35兆ドルに達しています。今年上半期の投資収益率は27.2%に達し、2022年以来の同時期で最高の水準を記録しましたが、数ヶ月のうちに市場が反転し、2024年第4四半期以降、彼らのコア重視ポートフォリオで初めて四半期レベルの時価総額の減少が見られました。NPSは長期にわたり三星電子、SKハイニックスを国内株式保有の上位2銘柄に位置付け、持株比率を7%以上に維持しています。今年5月、ファンド運営委員会は韓国株式の年末目標配分を引き上げました。6月の高値以降、株価は急速に調整され、10月中旬までにSKハイニックスは高値から50%以上下落し、三星電子は約40%の下落を記録しました。外国資本の集中売却が下落の直接的な要因であり、両社は外国資本の純売却総額の約80%を占めています。市場はAIストレージの景気に対する見解の相違、中国のストレージ技術の進展、個別株のレバレッジETFの高いボラティリティが下落幅を拡大させています。6月22日には韓国KOSPI指数が9114.55ポイントの歴史的な終値を記録しましたが、10月15日までに約39%下落しました。この期間中、NPSが保有するSKハイニックスの株式比率は7.5%から7.32%に減少し、三星電子の持株比率は7.84%を維持しています。米銀は10月16日の研究報告で、ストレージ株の評価が約3ヶ月半の調整後に底を打った可能性があるとし、2027年から2028年のストレージチップの価格と利益は依然として高水準を維持する見込みであると述べています。また、世界のAI企業が資本支出を削減する場合、両社の利益予想には下方修正の余地があるとの見解もあります。現時点で、NPSは保有時価総額の大幅な縮小について正式な回答を行っていません。

first_img サムスンとSKハイニックスはHBM4Eの熱管理に対応し、AIインターフェース層は40倍に拡大する可能性があります。

TrendForce 10月12日のChosun Bizの報道によると、AIパッケージがより多くの計算およびストレージチップを収容するにつれて、計算チップとHBMを接続する中介層が大幅に大きくなると予想されており、次世代HBMの熱管理がより重要になる。サムスン電子は、来年から量産を開始するHBM4Eの熱管理の課題に対応するために、複数の技術を準備している。現在、AI中介層の面積は、EUV光刻機の単回露光最大面積858平方ミリメートルの5.5倍に達している。半導体設備業界の関係者は、HBMを支える中介層がその面積の9倍、12倍、最終的には約40倍に拡大する可能性があると予測している。理由としては、プロセスの微細化が制限されていることや、チップレット式2.5Dパッケージの普及が挙げられ、単一の先進プロセスチップではAIの計算能力の要求を満たすことが難しく、複数の計算チップレットとHBMが同じ中介層に積み重ねられることがある。サムスンは、混合銅ボンディングと熱経路ブロックを検討している。前者は、銅対銅の直接接続でスタックされたDRAMチップ間の微小突起を置き換え、層間の隙間を縮小し、スタックを薄くし、熱管理を改善するもので、サムスンは2026年3月にNVIDIA GTCでこれを展示した。熱経路ブロックは、HBM基底チップがGPUとの高速伝送を行うD2D PHY領域に専用の熱経路を構築する役割を果たし、サムスンはHBM4Eでこれを検証しており、HBM5に導入する計画がある。ETNewsによると、SKハイニックスのiHBMは、熱が集中するD2D PHYの周囲に高熱伝導性だが電気絶縁性の冷却材料を配置しており、熱抵抗を約30%低下させることが期待されている。

first_img 報道によると、Samsungのスマートフォンは2026年の第4四半期に最大30%の減産を行う。

IT之家はMoney Todayの10月8日の報道を引用し、サムスン電子のモバイル体験(MX)部門がスマートフォンの生産量を削減する計画を立てており、2026年第4四半期の生産量は最大で30%減少する見込みであると伝えています。複数のIT業界の関係者によると、サムスンMX部門は複数のパートナーに対し、製品供給量を20%から30%減少させるよう通知したとのことです。IT之家は、原文ではこの30%が前期比、前年同期比、または以前の予想生産量との比較であるかは明確にされていないと指摘しています。生産量について、サムスン電子は当初、Galaxy Z Fold8などの新製品を基に、年間で最大2.7億台のスマートフォンを生産する計画でした。しかし、第4四半期に大幅な削減が行われた後、年間最終生産量は2億台をわずかに超えると予想されており、その減少幅は市場の予想を上回っています。IDCのデータによると、今年の第1四半期と第2四半期のスマートフォン出荷台数はそれぞれ6240万台と6270万台であり、以前の予測では第3四半期と第4四半期の出荷台数はそれぞれ5900万台と5200万台であり、第4四半期は第3四半期に比べて約12%減少する見込みです。Money Todayは、メモリ価格の上昇が減産の主要な推進要因であると報じています。TrendForceのデータによると、今年の第2四半期におけるスマートフォン用低消費電力DRAM(LPDDR5X)12GB仕様の価格は145ドルから146ドルで、昨年同期比で175%上昇しています。また、報道によれば、人工知能の需要がメモリ価格を押し上げており、第三四半期のスマートフォン用DRAM価格はさらに約20%上昇し、最高で180ドルに達する見込みです。IT業界の関係者は、現在サムスンのスマートフォン販売は利益がなく、減産は全体的な利益を維持するための戦略であると述べています。

first_img AMDのCEO、リサ・スーが再びサムスンを訪問し、より広範な協力について話し合うと述べた。

AMDの会長兼CEO、スー・ジーフォンは10月7日午後4時44分頃、ソウルのサムスン電子瑞草オフィスビルに到着し、デバイスソリューション部門の責任者であるチョン・ヨンヒョン副会長と会談しました。これは約7ヶ月ぶりの韓国訪問です。AMDの計算およびグラフィックスグループの責任者ジャック・フイン、そして副社長のジョセフ・マクリも同行しました。スー・ジーフォンは、両者がより広範なパートナーシップについて議論する予定であり、サムスン側には多くの協力パートナーがいると述べました。李在鎔に会うかどうか尋ねられた際には、詳細を明かすことはできないと答えました。サムスン訪問前に、スー・ジーフォンはソウルでのAMDプレイヤーデーに出席し、サムスンとSKハイニックスをコアサプライチェーンパートナーと呼び、人工知能の需要が高まっているため、長期的なサプライチェーンを計画していると述べました。彼女は、新世代のMI455とHeliosシステムが出荷を開始し、いずれもHBM4を採用していると述べ、2社のサポートを受けており、HBMの協力は第一世代にとどまらないとしました。報道によれば、Instinct MI455Xは432GBのHBM4を搭載しており、前世代のMI355Xの288GB HBM3Eから50%増加しています。彼女はメモリ供給が非常に厳しい状況にあり、顧客と使用量を最適化し、パートナーに生産を拡大するよう求めていると述べました。TrendForceは先月29日に、HBMと一般的なDRAMが限られた先進的なプロセス能力を共有しているため、供給の厳しさは来年まで続く可能性があると予測しました。報道によれば、両者は今年3月にHBM4と次世代DDR5の供給を中心とした覚書を締結し、サムスンをMI455X用HBM4の主要供給者と定め、サムスンによるAMDの次世代製品の受託生産についても議論しました。チョン・ヨンヒョンは当時、サムスンはメモリ、受託生産、パッケージングを同時に提供できると述べました。

first_img 三星電機はAI半導体基板MLC複合化方向を提案しました。

9月10日、サムスン電子パッケージング事業部の課長、キム・サンフン氏が仁川松島会議センターで開催されたKPCA Show国際セミナーINSIGHT 2026で講演を行い、AI半導体パッケージ基板の大型化、高多層化に対応するマルチレイヤコア(MLC)技術の方向性を提案しました。キム・サンフン氏は、従来は単層コア(SLC)方式で単一のCCLの厚さを増加させることで、コアが厚くなると内部のビアや回路加工の難易度が上昇し、ビアのサイズが縮小される制約があったと述べました。MLCはCCLとPPGの多層構造、さらには2枚のCCLの混合構造に転換することで、剛性と配線の自由度を同時に向上させ、PPG層にグラウンドや信号配線を配置することが可能です。2枚のCCLの間に接合層を加えることで基板をより安定して支えることができますが、プロセスはより複雑になります。現在の量産では、一般的に凸点間隔は90μm以上で、85μm前後が印刷微細ハンダボールプロセスの転換点であり、80μm付近では難易度が著しく上昇し、55--45μm級では金属凸点に転換する可能性があります。ガラスコアは別の選択肢として、剛性が高く、熱膨張係数が低いため、大型パッケージの反りを減少させるのに役立ちますが、脆弱な取り扱いや微細孔のメッキ技術の問題を解決する必要があります。基板は信号完全性、電源完全性、機械的完全性を同時に満たす必要があり、高性能パッケージ基板の層数は約20層、90mm級から120mm級、さらには40層以上に発展するでしょう。

first_img サムスン電子はディスプレイ付きAIメガネを開発しており、最も早くても2027年下半期に発売される見込みです。

科創板日報によると、サムスン電子は初のディスプレイ付きAIメガネの開発に着手した。この製品は音声機能を提供するだけでなく、レンズ上にカラー視覚情報を表示し、Meta Ray-Ban Displayスマートメガネに似ている。業界関係者によると、サムスン電子はAIメガネ用に0.2インチまたはそれ以下の超小型スクリーンの開発を検討しており、先月その開発タスクをサムスンディスプレイに委託し、製品の外形寸法、情報表示面積、色、価格などに関する要求を提示した。サムスン電子は現在、OLEDoSやLEDoSなどの候補パネル方案の評価を行っており、業界ではこの製品が2027年下半期または2028年上半期に発売されると予想されている。現在、このメガネの具体的な詳細は決まっていない。色彩表示に関して、サムスン電子は4ビットカラーの制限されたグレースケールを採用する予定であり、高解像度スクリーンではなく、双眼式または単眼式デザインの採用もまだ決定していない。業界関係者は、RGB OLEDoSが価格と歩留まりの面で課題に直面しており、白色OLEDoSパネルが登場する可能性が高いと述べている。サムスンは以前、ディスプレイのないAIメガネを発表しており、サムスン電子、グーグル、Gentle Monster、Warby Parkerが共同開発した。

first_img 韓国の証券会社がサムスン、SKハイニックスに対してメモリ在庫が10日未満であると警告しました。

韓国の証券会社KB証券は、サムスン電子とSKハイニックスのストレージ半導体在庫が10日分を下回ったと警告し、来年の供給が明らかに不足すると述べました。この機関は月曜日に、人工知能インフラへの投資がかつてない速度で拡大しており、ストレージチップ市場が深刻な供給不足に直面していると報告しました。重要な要因はHBM4への移行であり、HBM4に必要なウェハは従来のDRAMの約3倍であり、ウェハの生産能力が限られているため、従来のDRAMの利用可能な生産能力が減少します。KB証券は、来年のDRAMとNANDの需要が供給を10パーセント以上上回ると予測しています。研究責任者のキム・ドンウォン氏は、人工知能サーバーがHBM、サーバーDDR5、企業向けSSDを消費し、歴史的な不足を引き起こす可能性があると述べました。世界の超大規模データセンター運営者は、来年の人工知能インフラへの投資予想を1.3兆ドルに引き上げ、前年より60%増加するとしています。この機関は、来年のストレージ半導体が人工知能インフラ総投資の57%を占めると予測しており、昨年の14%から増加しています。TrendForceは、この割合が68%に達する可能性があると予測しています。サムスン電子の株価は高値から約28%下落し、SKハイニックスは約40%下落しました。

first_img 三星電子の第3四半期営業利益が初めて100兆ウォンを突破する可能性がある

韓国の『ソウル経済』が8月31日に報じたところによると、AIアクセラレーターで使用されるHBMとDRAMの価格が引き続き高騰しています。韓国貿易協会のデータによると、DRAMの輸出量は5月の約6.817億個から7月の5.9174億個に減少し、13.2%の減少となりましたが、輸出額は114.28億ドルから135.52億ドルに増加し、18.5%の増加を見せました。輸出単価は16.76ドルから22.9ドルに上昇し、36.6%の上昇となっています。HBM4はNVIDIAなどの顧客への供給が拡大しており、初期の良品率はHBM3Eよりも低く、全体的なDRAM供給不足を悪化させています。サムスン電子のメモリ事業部は、2031年までに約70%の生産能力を長期供給契約に配分する予定で、主な対象にはNVIDIA、マイクロソフト、グーグルが含まれています。Mega Grid Supplyのデータによると、HBM3E 36GBの現物価格は2100ドルで、長期契約価格の4倍から5倍に相当します;量産調整中のHBM4 16層の現物価格は約3500ドルです。金融投資界では、サムスン電子の第3四半期の売上高は206.64兆ウォン、営業利益は116.38兆ウォンになると予測されており、営業利益は初めて100兆ウォンを突破する見込みです。SKハイニックスの第3四半期の売上高は101.76兆ウォン、営業利益は79.16兆ウォンと予想されています。サムスン電子は、早ければ来年に平沢キャンパスの唯一のウェハー受託生産ラインS5をメモリ生産に転換することを検討しています。
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