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ChainCatcher 消息，IBM 2026 财年第三季度营收 171 亿美元，同比增长约 5%，调整后每股收益 2.95 美元，均超出分析师预期。公司上调全年软件营收增长指引至约 7%–8%，并将全年自由现金流增长指引提高至超过 10 亿美元。此前因客户支出转向数据中心基础设施而推迟的软件和大型机交易开始签约。自由现金流前九个月累计达 80 亿美元，创同期历史新高。IBM 股价盘后跌 4.95%，报 239.02 美元。

ChainCatcher 消息，英伟达已要求三星电子、SK 海力士和美光科技采用台积电 3nm 制程的基底裸片为其生产 NVHBM，核心裸片则采用第六代 DRAM 技术。三星电子已决定接受英伟达的技术要求，但对涉及客户的事项不予评论。

ChainCatcher 消息，据 DealSite 报道，存储芯片厂商 SK 海力士在扩大第六代高带宽内存 HBM4 量产的同时，部分后道设备业内人士认为扩产速度慢于预期，今年计划追加的部分设备订单可能推迟至明年。设备业人士称，原定今年下半年交付的部分设备出现延后迹象，后续订单计划也尚未明确。有匿名人士表示，部分原计划今年投入的设备或改至明年，已交付设备是否满负荷运转也尚无数据确认。明年 HBM4 相关投资计划尚未具体传达给部分合作方，今年订单已大体完成，但未见明确的增减投资信号。报道称，设备投资日程与产品质量问题之间的直接关联尚未得到确认。大信证券研究员柳亨根认为，主要客户 HBM4 质量问题导致业绩低于预期的担忧过度，后道环节或曾出现部分问题，但难以视为无法解决的风险，也尚未到讨论不良赔偿的阶段。另有业内说法称，在通用内存价格上涨背景下，部分 HBM 投资或转向通用内存。SK 海力士计划优先向龙仁集群 Y1 晶圆厂首个洁净室导入 DRAM 生产设备，业界预计初期产线采用第六代 10 纳米级 1c 工艺，新增产能将优先分配给通用 DRAM。也有观点认为，仅凭部分后道设备日程变化，尚不足以判断 HBM4 量产受阻，SK 海力士已向主要客户供应 HBM4 16 层样品。

ChainCatcher 消息，X 账号 pequityresearch 发文称，彭博旗下研究机构彭博情报预计，高带宽内存市场规模到 2030 年将达到 6410 亿美元，高于此前 2600 亿美元的预测。该账号援引的预测还显示，彭博情报预计 HBM3E 与 HBM4 价格将在 2027 年上涨 30% 至 45%，高带宽内存平均价格将从 2026 年的 15.46 美元升至 2030 年的 34.94 美元。

ChainCatcher 消息，面向数字资产市场的机构结算网络 Lynq 与稳定币清算所 The Better Money Company（TBMC）宣布完成一项实时概念验证，展示机构结算可在数分钟内完成。该验证属于双方合作第一阶段，采用预存资金流程，在 Lynq 上完成稳定币结算。概念验证中，TBMC 将客户存放在 Lynq 上的资产转换为 RLUSD，结算在数分钟内完成。验证使用真实生产账户与真实机构对手方，结算过程绕过传统银行窗口。资产在结算持有期间利息继续计提，计算使用 Tassat 的 Yield in Transit 功能，按资产持有时长确定应计利息。TBMC 创始人兼 CEO Sam Broner 表示：稳定币要成为有意义的机构基础设施，需进入真实结算流程；该验证表明可通过链上抵押品转移处理稳定币碎片化，而不依赖信贷和传统银行结算来衔接。Lynq CEO Jerald David 表示：机构并不缺资本，缺的是在需要时以正确形式把资金移到正确地点；该验证规模刻意做小，但表明数字美元可在机构之间于数分钟内结算，且不以信贷便利替代速度。Lynq 称，平台原生稳定币支持目前目标为 2026 年底。

ChainCatcher 消息，TrendForce 10 月 12 日援引 Chosun Biz 报道，随着 AI 封装容纳更多计算与存储芯片，连接计算芯片与 HBM 的中介层预计大幅变大，下一代 HBM 散热更重要。三星电子正准备多项技术，应对计划于明年开始量产的 HBM4E 散热挑战。当前 AI 中介层面积已约为 EUV 光刻机单次曝光最大面积 858 平方毫米的 5.5 倍。半导体设备业人士预计，承载 HBM 的中介层可能扩大到该面积的 9 倍、12 倍，最终约 40 倍。原因包括制程微缩受限和 chiplet 式 2.5D 封装普及，单一先进制程芯片难以满足 AI 算力需求，多个计算 chiplet 与 HBM 堆叠被放在同一中介层上。三星考虑混合铜键合与热路径块。前者以铜对铜直接连接取代堆叠 DRAM 晶粒间的微凸点，可缩小层间间隙、使堆叠更薄并改善散热，三星曾在 2026 年 3 月 NVIDIA GTC 展示。热路径块在 HBM 基底晶粒负责与 GPU 高速传输的 D2D PHY 区域建立专用热路径，三星正用 HBM4E 验证，并计划在 HBM5 导入。据 ETNews，SK 海力士的 iHBM 在热量集中的 D2D PHY 周围放置高导热但电绝缘的冷却材料，预计可将热阻降低约 30%。

ChainCatcher 消息，据韩国经济日报报道，三星电子的下一代高带宽内存 “12 层 HBM4E” 产品已通过英伟达及主要超大规模数据中心运营商的质量验证。

ChainCatcher 消息，据 PRNewswire 报道，以太坊财库公司 Bitmine 董事长 Tom Lee 表示，随着加密市场进入其认为的牛市周期，Bitmine（BMNR）股价在 2025 年至 2026 年熊市期间相较以太坊（ETH）的表现值得关注。 2026 年前 9 个月 ETH 价格下跌 10%，而 BMNR 仅下跌 3%，实现约 731 个基点（7.31 个百分点）的相对跑赢。BMNR 的股价表现反映了公司持续优化股东回报的承诺，其中包括执行加密行业规模最大的企业金库股票回购计划，仅 2026 年就回购 2100 万股。 此外，Tom Lee 还指出，2026 年第三季度至今，ETH 相较标普 500 指数跑赢 6832 个基点。在美联储立场偏鹰、油价上涨、全球债券收益率上升以及金融环境收紧等宏观压力背景下，ETH 仍展现出较强表现，领先其他主要宏观资产。

ChainCatcher 消息，据 Gate 行情数据显示，美股软件股走高，IBM 涨 5%，ServiceNow 涨 4.8%，Salesforce 涨 3%。

ChainCatcher 消息，据财联社援引媒体当地时间 9 月 29 日报道，三星电子执行副总裁 Kim Taewoo：预计明年 HBM 将占 DRAM 厂商晶圆总产能的近 30%，目前该比例约为 20%。他称，HBM 与传统 DRAM 争夺同一批晶圆产能，扩大 HBM 产出可能挤压传统 DRAM 供应。TrendForce 此前预测，2027 年底全球三大 HBM 供应商的 HBM 晶圆投入约占 DRAM 晶圆总投入的 30%，但按存储容量计仅能贡献约 13% 的 DRAM 总供应量。另据媒体 9 月 20 日报道，三星已于今年 2 月开始量产出货 HBM4，5 月向包括英伟达在内的客户提供 12 层 HBM4E 样品；业内预计三星 HBM 月均晶圆投入量将由今年约 18 万片增至明年约 25 万片。TrendForce 同日表示，AI 服务器需求持续，HBM 与通用 DRAM 仍将分享有限的先进制程产能，2027 年存储供应将维持偏紧，并上调 2027 年 HBM 价格预期，预计混合平均售价同比上涨 121%。受供应有限和系统成本上升影响，8 层 HBM 预计将成为 2027 年多家厂商优先评估的方案，其每 Gb 售价将比 12 层产品高约 10% 至 20%。

ChainCatcher 消息，IBM 宣布其数字资产管理平台 IBM Digital Asset Haven 的客户现已可连接许可制区块链网络，其中包括 Swift 基于区块链的共享账本。一项新的测试版 ISO 20022 报文适配器，允许金融机构通过该账本、使用标准支付报文发起代币化存款交易。IBM 表示，参与 Swift 相关计划的金融机构已使用 Digital Asset Haven 在该账本上测试了代币化存款。该账本支持银行发行的代币化存款，可让参与的 IBM 客户全天候转移数字资产，最终结算仍通过现有系统完成。Swift 于 Sibos 2025 首次公布该账本，基于与 Consensys 合作开发的原型，超过 40 家金融机构参与其设计，其中 17 家正参与代币化存款试点。Swift 目前连接全球 200 多个市场的超 1.25 万家金融机构。上述报文适配器使银行能够沿用现有支付报文格式与运营流程，而无需采用区块链专属工作流。IBM 同时将 Digital Asset Haven 扩展至本地化部署测试版，该版本可安装在客户自有数据中心的 IBM Z 与 IBM LinuxONE 上，用于管理稳定币、代币化存款等数字资产，无需依赖公有云基础设施。IBM 称，平台及密钥管理层完全保留在客户自身环境内，密钥由 IBM Crypto Express 硬件安全模块保护。

ChainCatcher 消息，BidClub 播客第 166 期中，芯片设计师 Bubble boi 表示，高带宽闪存在技术上有吸引力，但缺乏决定性数据中心用例。他给出的信息是，所听说的主要客户是难以获得或生产高端 HBM 的中国客户。Bubble boi 称，HBF 与高端 AI 闪存延迟均约 5 微秒，带宽低于 HBM，单位比特成本更低但总成本可能相当。他认为最清晰的客户是无法获得 HBM 的主体，这与他从两到三人处听到的中国需求相符，因其无法充分制造加速器，或愿接受非领先规格产品。

ChainCatcher 消息，据 Money Today 9 月 21 日报道，三星电子因 HBM 市场增长正推进晶圆代工先进制程产能扩张，为应对 HBM4 基座芯片需求上升正在评估 4 纳米制程扩产。三星 HBM4 由 10 纳米级 6 代（1c）DRAM 核心芯片与 4 纳米逻辑基座芯片组成，基座芯片负责与 GPU 等 AI 加速器高速交换数据。与 SK 海力士采用台积电 12 纳米不同，三星对 HBM4 基座芯片使用自有 4 纳米制程。该产线已满负荷运转并承接英伟达 Groq 3 LPU 等订单，公司近期上调了 4 纳米新订单及 HBM4 基座芯片报价。三星预计第三季度 HBM4 营收环比增逾 3 倍，下半年 HBM 营收中 HBM4 占比将明显高于 60%。平泽 P4 追加扩产大部分将用于 HBM 用 1c DRAM，晶圆代工 4 纳米产能一半以上已分配给 HBM4 基座芯片。HBM4E 同样采用 4 纳米基座芯片，三星已于 5 月向客户提供样品。公司还在评估为 HBM5 建设 2 纳米新产线，目标以 GAA 结构 2 纳米制程并提高 TSV 密度，使运行速度较 HBM4E 提升 50% 以上。三星去年下半年启动 2 纳米第一代量产，今年下半年推进第二代产品。花旗预计明年全球 HBM 比特需求达 752 亿 Gb、同比增 62%，供应约 594 亿 Gb、缺口约 21%；

ChainCatcher 消息，据首尔经济报道，三星电子计划明年将第六代高带宽存储器 HBM4 与第七代 HBM4E 等 HBM4 系列产量较今年至少扩大一倍以上。该公司拟将 HBM 用 DRAM 薄化加工所需玻璃载体外协清洗量，由今年每月 2 万片增至明年每月 5 万片，较今年增加 2.5 倍。去年该载体月需求约 1 万片，今年已较去年翻倍。三星电子重点扩产的 HBM4 与 HBM4E 以 12 层及以上高堆叠产品为主。该公司今年 2 月开始量产出货采用第六代 10 纳米级（1c）DRAM 与 4 纳米工艺基底芯片的 HBM4，5 月向英伟达等客户提供 HBM4E 12 层样品。业界预计，以月均晶圆投入计，三星电子 HBM 产能将由今年约 18 万片增至明年约 25 万片，增幅近 40%；HBM4 系列出货占比或由今年约 40% 升至明年约 80%。

ChainCatcher 消息，KB 证券 9 月 11 日发布报告指出，三星电子 HBM 市场份额有望从第二季度的 33% 提升至第四季度的 40%，主要得益于 HBM4 第三季度销量环比增长超过三倍，且下半年 HBM4 预计占其 HBM 总销售额的 60% 以上。三星电子已确立 HBM4 全面量产、向核心客户供应 HBM4E 样品、采用 1c 核心裸片与 2 纳米基础裸片的 HBM5 架构以及下一代 ZHBM 的路线图。其代工业务方面，4 纳米良率稳定在 80% 以上，2 纳米 GAA 良率快速提升至 70% 以上。KB 证券分析师 Kim Dong-Won 表示，代工业务自第三季度起有望扭亏为盈，2 纳米良率年内或助其斩获美国大客户订单。

ChainCatcher 消息，据路透社 9 月 10 日独家报道，中国 AI 芯片制造商因高带宽内存短缺而大幅提价。华为将昇腾 950DT 加速卡指示价格上调至超过 25 万元人民币，较两个月前报价上涨 20% 至 50%。寒武纪将其计划中的 690 芯片指示价格上调 20% 至 30%，沐曦和天数智芯也有类似涨价。报道称，原因包括美国出口管制及灰色市场高带宽内存供应推高成本。华为较早代产品如昇腾 950PR 和 910C 价格亦上涨约 30%。上述涨价增加了中国 AI 算力建设成本。华为、寒武纪等公司未予置评。

ChainCatcher 消息，据业界消息，英伟达正考虑将下一代 Rubin Ultra 人工智能加速器的高带宽内存方案从 12 层堆叠调整为 8 层。在存储成本上涨背景下，英伟达更加重视单位带宽成本及整机系统经济性。

ChainCatcher 消息，据朝鲜日报报道，中国最大 DRAM 厂商长鑫存储（CXMT）已启动第四代高带宽存储器 HBM3 试验生产，初期良率停滞在 25%，约为量产黄金良率 80% 的三分之一。SK 海力士自 2022 年起量产同类产品，良率超过 90%。长鑫存储 HBM3 8 层堆叠产品前道工序良率约 30%，后道工序后约 70% 成为最终良品。公司将少量样品供应给阿里巴巴平头哥、寒武纪等中国企业并持续改善良率。其 G4（17 纳米级）工艺普通 DRAM 无大问题，但 HBM 用 DRAM 芯片面积更大、电气规格更严格。业界将原因指向硅通孔 TSV 技术成熟度不足。Nomad Semi 分析显示，三星 HBM2 每芯片 TSV 超 5000 个，SK 海力士 HBM3 超 8000 个，长鑫存储约 3000 个。与三星、SK 海力士存在 4 至 5 年差距。

ChainCatcher 消息，三星电子晶圆代工事业部在 4 纳米工艺中，分配给第六代高带宽存储器 HBM4 用基底芯片量产的比重最近突破 50%。业界称，该事业部今年下半年将超过一半的 4 纳米晶圆投入 HBM4 基底芯片制造，以配合向英伟达、博通、AMD 等扩大供应。三星于今年 2 月率先启动 HBM4 量产出货，并计划自第三季度起扩大供应量，自年中起显著增加相关晶圆投入。该芯片基于三星晶圆代工 4 纳米（SF4）工艺。截至上月，其全部 4 纳米产能中超过 50% 已分配给 HBM4 基底芯片。知情人士称，三星 4 纳米目前处于满产，其中 HBM4 基底芯片占比约 50% 至 60%，下半年将维持高占比。三星在平泽 2 厂与 3 厂的晶圆代工产线量产 4 至 7 纳米级工艺，其中 4 纳米产能约每月 3 万片，据此估算 HBM4 基底芯片相关晶圆投入约每月 1.5 万片。三星在第二季度业绩电话会上表示，预计第三季度 HBM4 营收环比扩大 3 倍以上，下半年 HBM4 营收将超过公司整体 HBM 营收的 60%。