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first_img RBC:2027年のHBM価格はほぼ倍増する可能性があります

カナダ皇家銀行資本市場(RBC Capital)が発表したレポートによると、人工知能の需要は供給を上回り続けており、高帯域幅メモリ(HBM)の価格上昇が全体のDRAM平均販売価格を支える見込みで、メモリーチップメーカーのSKハイニックスはメモリーチップの上昇サイクルから引き続き恩恵を受けるとしています。レポートでは、2027年にはHBMの価格が80%から100%上昇する可能性があると指摘しています。RBCは、DRAMの上昇サイクルがすでに14四半期続いていることを踏まえ、さらに5四半期続くと考えており、供給の緊張は2027年まで続くと予想しています。RBCは、SKハイニックスの第3四半期の業績が市場のコンセンサスをわずかに上回ると予想しており、売上高は101.2兆ウォンに達する見込みで、調整後の1米国預託証券あたりの利益は8917ウォン(約6.72ドル)になるとしています。第3四半期のDRAM契約価格は前四半期比で20%上昇し、第4四半期にはさらに15%上昇する可能性があります。RBCは「市場を上回る」評価を再確認し、目標株価は200ドルで、最新の終値より約40%高いとしています。米国株市場では、SKハイニックスの株価は月曜日に4%以上上昇し、142.62ドルとなりました。野村証券は最近、メモリーチップの不足が2028年まで続くと述べ、サムスン電子とSKハイニックスの「買い」評価を維持し、それぞれの目標株価は67万ウォンと470万ウォンとしています。韓国のKB証券は月曜日に、両社の株価収益率が約3倍に低下したと報告しました。今週水曜日にSKハイニックスは第3四半期の決算を発表する予定で、FnGuideの調査によると、アナリストは売上高を98.2兆ウォン、営業利益を77兆ウォンと予想しています。メディアの報道によると、同社は約16兆ウォンの特別配当を支給することを検討しているとのことです。

first_img SKハイニックスの一部HBM4後工程設備の注文は来年に延期される可能性があります。

DealSiteの報道によると、ストレージチップメーカーのSKハイニックスは、第6世代の高帯域幅メモリHBM4の量産を拡大している一方で、一部の後工程機器業界関係者は、増産の速度が予想よりも遅れていると考えており、今年計画されている追加の機器注文が来年に延期される可能性があるとしています。機器業界の関係者によると、当初今年下半期に納品される予定だった一部の機器に遅延の兆候が見られ、今後の注文計画もまだ明確ではないとのことです。匿名の関係者は、今年投入予定だった一部の機器が来年に変更される可能性があると述べており、既に納品された機器がフル稼働しているかどうかについてもデータの確認が取れていないとしています。来年のHBM4関連の投資計画は、一部の協力先に具体的に伝えられていない状況で、今年の注文は大体完了していますが、明確な投資の増減の信号は見られません。報道によれば、機器投資のスケジュールと製品品質の問題との直接的な関連性はまだ確認されていません。大信証券の研究員である柳亨根氏は、主要顧客のHBM4の品質問題が業績の予想を下回る懸念は過度であると考えており、後工程において一部の問題が発生した可能性はあるものの、それを解決不可能なリスクと見なすのは難しいと述べています。また、不良補償について議論する段階にはまだ至っていないとも言われています。さらに業界の一部では、汎用メモリの価格上昇の背景の中で、一部のHBM投資が汎用メモリにシフトする可能性があるとも言われています。SKハイニックスは、龍仁クラスターY1ウェーハ工場の最初のクリーンルームにDRAM生産設備を優先的に導入する計画で、業界では初期の生産ラインが第6世代10ナノメートル級1cプロセスを採用することが予想されており、新たな生産能力は優先的に汎用DRAMに配分されると見込まれています。また、一部の後工程機器のスケジュールの変化だけでは、HBM4の量産が阻害されていると判断するには不十分であるとの見解もあります。SKハイニックスは主要顧客にHBM4の16層サンプルを供給しています。

first_img 機関決済ネットワーク Lynq と TBMC が数分間の決済検証を完了しました

デジタル資産市場向けの機関決済ネットワークLynqとステーブルコイン清算所The Better Money Company(TBMC)は、機関決済が数分以内に完了することを示すリアルタイムの概念実証を完了した。この検証は両者の協力の第一段階に属し、預け入れ資金プロセスを採用し、Lynq上でステーブルコイン決済を完了した。概念実証では、TBMCは顧客がLynq上に預けた資産をRLUSDに変換し、決済は数分以内に完了した。検証は実際の生産アカウントと実際の機関対抗者を使用し、決済プロセスは従来の銀行窓口をバイパスした。資産は決済保有期間中に利息が引き続き計上され、計算にはTassatのYield in Transit機能を使用し、資産保有期間に基づいて計上利息が決定される。TBMCの創設者兼CEOであるSam Bronerは、ステーブルコインが意味のある機関インフラストラクチャーになるためには、実際の決済プロセスに入る必要があると述べた。この検証は、オンチェーン担保移転を通じてステーブルコインの断片化を処理できることを示しており、信用や従来の銀行決済に依存せずに接続できることを示している。LynqのCEOであるJerald Davidは、機関には資本が不足しているわけではなく、必要なときに正しい形式で資金を正しい場所に移動することが不足していると述べた。この検証は規模を意図的に小さくしているが、デジタルドルが機関間で数分以内に決済できることを示しており、信用の便宜を速度の代わりにすることはない。Lynqは、プラットフォームのネイティブステーブルコインのサポートは現在の目標が2026年末であると述べている。

first_img サムスンとSKハイニックスはHBM4Eの熱管理に対応し、AIインターフェース層は40倍に拡大する可能性があります。

TrendForce 10月12日のChosun Bizの報道によると、AIパッケージがより多くの計算およびストレージチップを収容するにつれて、計算チップとHBMを接続する中介層が大幅に大きくなると予想されており、次世代HBMの熱管理がより重要になる。サムスン電子は、来年から量産を開始するHBM4Eの熱管理の課題に対応するために、複数の技術を準備している。現在、AI中介層の面積は、EUV光刻機の単回露光最大面積858平方ミリメートルの5.5倍に達している。半導体設備業界の関係者は、HBMを支える中介層がその面積の9倍、12倍、最終的には約40倍に拡大する可能性があると予測している。理由としては、プロセスの微細化が制限されていることや、チップレット式2.5Dパッケージの普及が挙げられ、単一の先進プロセスチップではAIの計算能力の要求を満たすことが難しく、複数の計算チップレットとHBMが同じ中介層に積み重ねられることがある。サムスンは、混合銅ボンディングと熱経路ブロックを検討している。前者は、銅対銅の直接接続でスタックされたDRAMチップ間の微小突起を置き換え、層間の隙間を縮小し、スタックを薄くし、熱管理を改善するもので、サムスンは2026年3月にNVIDIA GTCでこれを展示した。熱経路ブロックは、HBM基底チップがGPUとの高速伝送を行うD2D PHY領域に専用の熱経路を構築する役割を果たし、サムスンはHBM4Eでこれを検証しており、HBM5に導入する計画がある。ETNewsによると、SKハイニックスのiHBMは、熱が集中するD2D PHYの周囲に高熱伝導性だが電気絶縁性の冷却材料を配置しており、熱抵抗を約30%低下させることが期待されている。

トム・リー:暗号市場はブル・マーケットサイクルに入った、BMNRは今年の前9ヶ月でETHを上回った

PRNewswireによると、イーサリアム財庫会社Bitmineの会長トム・リーは、暗号市場が彼が考える牛市サイクルに入るにつれて、Bitmine(BMNR)の株価が2025年から2026年のベア市場期間中にイーサリアム(ETH)のパフォーマンスに対して注目に値すると述べました。2026年の最初の9ヶ月でETH価格は10%下落しましたが、BMNRはわずか3%の下落にとどまり、約731ベーシスポイント(7.31パーセントポイント)の相対的なアウトパフォームを実現しました。BMNRの株価パフォーマンスは、株主還元を継続的に最適化するという会社のコミットメントを反映しており、暗号業界で最大の企業金庫の株式買戻し計画を実行しており、2026年だけで2100万株を買い戻しました。さらに、トム・リーは、2026年第3四半期以降、ETHがS&P 500指数に対して6832ベーシスポイントのアウトパフォームを示していることを指摘しました。連邦準備制度のタカ派的な姿勢、原油価格の上昇、世界的な債券利回りの上昇、金融環境の引き締まりといったマクロ圧力の中で、ETHは依然として強いパフォーマンスを示し、他の主要なマクロ資産をリードしています。

first_img サムスン電子の幹部:来年、HBMがDRAMウェハー生産能力のほぼ三割を占めると予想しています

財聯社が報じたところによると、現地時間9月29日、三星電子の執行副社長Kim Taewooは、来年のHBMがDRAMメーカーのウェーハ総生産能力の約30%を占めると予想しており、現在その割合は約20%であると述べました。彼は、HBMと従来のDRAMが同じウェーハ生産能力を争っており、HBMの生産を拡大すると従来のDRAMの供給が圧迫される可能性があると述べました。TrendForceは以前、2027年末までに世界の三大HBM供給者のHBMウェーハ投入量がDRAMウェーハ総投入量の約30%を占めると予測していますが、ストレージ容量で計算すると、DRAM総供給量の約13%しか貢献できないとしています。また、9月20日の報道によると、三星は今年2月からHBM4の量産出荷を開始し、5月にはNVIDIAを含む顧客に12層HBM4Eサンプルを提供しました。業界では、三星のHBMの月平均ウェーハ投入量が今年の約18万枚から来年の約25万枚に増加すると予想されています。TrendForceは同日、AIサーバーの需要が続いており、HBMと汎用DRAMは依然として限られた先進プロセスの生産能力を共有すると述べ、2027年のストレージ供給は引き続き厳しい状況が続くとし、2027年のHBM価格予想を引き上げ、混合平均販売価格が前年比で121%上昇すると予測しています。供給が限られ、システムコストが上昇する影響を受けて、8層HBMは2027年に多くのメーカーが優先的に評価する方案となる見込みで、その価格は12層製品よりも約10%から20%高くなると予想されています。

first_img IBMはDigital Asset HavenをSwift共有台帳に接続し、トークン化された預金取引をサポートします。

IBMはそのデジタル資産管理プラットフォームIBM Digital Asset Havenの顧客が、Swiftのブロックチェーンベースの共有台帳を含むライセンス制ブロックチェーンネットワークに接続できるようになったことを発表しました。新しいベータ版ISO 20022メッセージアダプターは、金融機関がこの台帳を通じて標準的な支払いメッセージを使用してトークン化された預金取引を開始することを可能にします。IBMは、Swift関連プログラムに参加している金融機関がDigital Asset Havenを使用してこの台帳上でトークン化された預金をテストしたと述べています。この台帳は銀行が発行したトークン化された預金をサポートしており、参加しているIBMの顧客はデジタル資産を24時間いつでも移転でき、最終的な決済は既存のシステムを通じて行われます。SwiftはSibos 2025でこの台帳を初めて発表し、Consensysと協力して開発したプロトタイプに基づいています。40以上の金融機関がその設計に参加しており、そのうち17社がトークン化された預金のパイロットに参加しています。Swiftは現在、世界中の200以上の市場に1.25万以上の金融機関を接続しています。上記のメッセージアダプターは、銀行が既存の支払いメッセージフォーマットと運用プロセスを維持できるようにし、ブロックチェーン専用のワークフローを採用する必要がありません。IBMは同時にDigital Asset Havenをローカライズされたデプロイメントベータ版に拡張し、このバージョンは顧客自身のデータセンターにあるIBM ZおよびIBM LinuxONEにインストールして、ステーブルコインやトークン化された預金などのデジタル資産を管理するために使用され、公有クラウドインフラストラクチャに依存する必要がありません。IBMは、プラットフォームとキー管理層が完全に顧客自身の環境内に保持され、キーはIBM Crypto Expressハードウェアセキュリティモジュールによって保護されると述べています。

first_img サムスン電子は、HBM4の需要に対応するために4ナノメートルの生産を拡大する計画です。

Money Todayの9月21日の報道によると、サムスン電子はHBM市場の成長に伴い、ウェハー代工の先進プロセス能力の拡張を進めており、HBM4基座チップの需要増加に対応するために4nmプロセスの増産を検討しています。サムスンのHBM4は、10nm世代の6世代(1c)DRAMコアチップと4nmロジック基座チップで構成されており、基座チップはGPUなどのAIアクセラレーターとの高速データ交換を担当しています。SKハイニックスがTSMCの12nmを採用しているのとは異なり、サムスンはHBM4基座チップに自社の4nmプロセスを使用しています。この生産ラインはフル稼働しており、NVIDIAのGroq 3 LPUなどの注文を受けています。最近、会社は4nmの新しい注文とHBM4基座チップの価格を引き上げました。サムスンは第3四半期のHBM4の収益が前四半期比で3倍以上増加すると予想しており、下半期のHBM収益におけるHBM4の割合は60%以上になる見込みです。平沢P4の追加増産の大部分はHBM用の1c DRAMに使用され、ウェハー代工の4nm能力の半分以上がHBM4基座チップに割り当てられています。HBM4Eも同様に4nm基座チップを採用しており、サムスンは5月に顧客にサンプルを提供しました。会社はまた、HBM5のために2nmの新しい生産ラインを構築することを検討しており、GAA構造の2nmプロセスを目指し、TSV密度を向上させ、HBM4Eに比べて動作速度を50%以上向上させることを目指しています。サムスンは昨年の下半期に2nmの第一世代量産を開始し、今年の下半期には第二世代製品を推進します。シティは来年の世界のHBMビット需要が752億Gbに達し、前年比62%増加すると予測しており、供給は約594億Gb、ギャップは約21%になるとしています。
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