socamm

韓国のストレージ基板メーカーTLBは、国内外の2つの大手ストレージ製造業者とAIサーバー用低消費電力メモリモジュール仕様SOCAMM3基板の開発を開始しました。業界の22日の情報によると、TLBは最近、2つの既存のストレージ顧客と設計方向と製造プロセスについて協議を始めており、仕様はまだ確定していません。ストレージメーカーは、まず基板メーカーと設計を完了させてから仕様を取り入れる計画で、実際の基板量産は2028年を見込んでいます。SOCAMMは、モバイル端末用の低消費電力DRAMを取り外し可能なAIサーバーモジュールに仕上げ、NVIDIAが自社のAIサーバーで最初に使用します。SOCAMM2はJEDEC標準に発展しました。現在、NVIDIAのVera CPUの隣にある各CPUには、LPDDR5XベースのSOCAMM2が8個搭載されており、単一CPUの最大容量は1.5TB、帯域幅は毎秒1.2TBです。SOCAMM2基板は5回の積層が必要で、SOCAMM3では積層回数が増加し、微細孔加工などの技術的難易度が上昇します。適用システムはまだ公開されておらず、2028年の量産時期はNVIDIAのロードマップと重なります。NVIDIAは今年3月のGTCで、2028年にFeynman GPUと新CPU Rosaを発表することを発表しました。TLBのSOCAMM2基板は今年初めに量産を開始し、第2四半期の生産量と売上高は前四半期の3倍以上に増加しました。生産時間と単価は既存モジュール基板の約2倍です。業界は、今年TLBのSOCAMM基板の売上高が約700億ウォン、来年は約1400億ウォンになると予測しています。証券会社は、今年の同社の全体収益が約3500億から3700億ウォンで、前年比約40%の成長を見込んでおり、来年は約4500億ウォンになると予測しています。同社は来月、ベトナムの北寧省安豊産業団地に第2工場の建設を開始し、目標は来年の第4四半期に稼働することですが、SOCAMM基板は短期的には安山本社でのみ生産されます。

スイス銀行によるVera Rubin超チップの部品表（BOM）の分析によると、メモリ半導体はこのプラットフォームの総コストにおいて約62%を占めており、前世代のBlackwell Ultra（GB300）の53%から大幅に増加しています。Vera Rubin超チップ（1つのVera CPUと2つのRubin GPUを含む）の総コストは約38,902ドルで、そのうちメモリ関連コストは24,297ドルに達しています。HBM4のコストは約4,943ドル（総コストの12.7%を占め）、CPUに接続されるSOCAMM2のコストは約19,355ドル（総コストの49.8%を占め）、メモリコスト上昇の主要な要因となっています。SOCAMM2は低消費電力DRAM LPDDR5Xに基づくサーバーメモリモジュールで、単一CPUで最大1.5TBの容量をサポートします。Vera Rubin NVL72キャビネット（72個のRubin GPUと36個のVera CPUを含む）は合計74.7TBのDRAMを搭載しており、そのうちHBM4は20.7TB、CPU用のLPDDR5Xは54TBです。単一キャビネットのLPDDR使用量は約4,500台の高性能スマートフォンに相当します。しかし、LPDDR5XおよびHBM4Eの供給不確実性の影響を受けて、NVIDIAは次世代Rubin UltraのHBM構成を引き下げることを検討しています。