4ナノメートル

《朝鮮 Biz》によると、10月20日、サムスン電子のファウンドリ部門は4nmプロセスの顧客注文が増加し、生産能力がほぼ満杯に達している。また、同社は5nmプロセスの新規顧客獲得を拡大している。報道によれば、最先端の2nmプロセスと世界の大手テクノロジー企業との契約は依然として遅れており、サムスンは収益改善のために良品率が比較的安定している4nmおよび5nmプロセスの稼働率を引き上げることに転じた。4nmはスマートフォン用アプリケーションプロセッサ、人工知能半導体、高性能計算チップなどに使用されている。報道によると、人工知能半導体市場が拡大する中で、すべてのチップが最先端のプロセスを必要とするわけではなく、4nmおよび5nmの製造コストは比較的低く、同時に高い性能を得ることができ、一部の人工知能推論チップや専用集積回路に使用される。2nmに関して、サムスンは世界の大手テクノロジー企業と生産契約について議論しているが、一部の交渉は当初の予想より遅れている。最先端のプロセスは良品率に加えて、エネルギー効率、設計資産、安定した量産能力の総合的な検証が必要であり、契約から量産までには長い時間がかかる。サムスンは2nmを次世代ファウンドリビジネスの核心的な成長エンジンと位置付け、3nmで初めて導入された全周囲ゲートトランジスタ構造を引き続き使用して、エネルギー効率と性能を改善する計画である。

Money Todayの9月21日の報道によると、サムスン電子はHBM市場の成長に伴い、ウェハー代工の先進プロセス能力の拡張を進めており、HBM4基座チップの需要増加に対応するために4nmプロセスの増産を検討しています。サムスンのHBM4は、10nm世代の6世代（1c）DRAMコアチップと4nmロジック基座チップで構成されており、基座チップはGPUなどのAIアクセラレーターとの高速データ交換を担当しています。SKハイニックスがTSMCの12nmを採用しているのとは異なり、サムスンはHBM4基座チップに自社の4nmプロセスを使用しています。この生産ラインはフル稼働しており、NVIDIAのGroq 3 LPUなどの注文を受けています。最近、会社は4nmの新しい注文とHBM4基座チップの価格を引き上げました。サムスンは第3四半期のHBM4の収益が前四半期比で3倍以上増加すると予想しており、下半期のHBM収益におけるHBM4の割合は60%以上になる見込みです。平沢P4の追加増産の大部分はHBM用の1c DRAMに使用され、ウェハー代工の4nm能力の半分以上がHBM4基座チップに割り当てられています。HBM4Eも同様に4nm基座チップを採用しており、サムスンは5月に顧客にサンプルを提供しました。会社はまた、HBM5のために2nmの新しい生産ラインを構築することを検討しており、GAA構造の2nmプロセスを目指し、TSV密度を向上させ、HBM4Eに比べて動作速度を50%以上向上させることを目指しています。サムスンは昨年の下半期に2nmの第一世代量産を開始し、今年の下半期には第二世代製品を推進します。シティは来年の世界のHBMビット需要が752億Gbに達し、前年比62%増加すると予測しており、供給は約594億Gb、ギャップは約21%になるとしています。