장신 저장소 HBM3 시험 생산 수율이 25%에서 정체됨

중국 최대 DRAM 제조업체인 장신 저장(CXMT)이 4세대 고대역폭 메모리 HBM3 시험 생산을 시작했으며, 초기 수율은 25%로 양산 황금 수율인 80%의 약 3분의 1에 불과합니다. SK 하이닉스는 2022년부터 유사 제품을 양산하고 있으며, 수율은 90%를 초과합니다.

장신 저장 HBM3 8층 적층 제품의 전공정 수율은 약 30%, 후공정 수율은 약 70%로 최종 양품이 됩니다. 회사는 소량 샘플을 알리바바 평두거, 한무기 등 중국 기업에 공급하고 있으며, 수율 개선을 지속하고 있습니다. 그들의 G4(17nm급) 공정 일반 DRAM에는 큰 문제가 없지만, HBM용 DRAM 칩 면적이 더 크고 전기 사양이 더 엄격합니다.

업계는 원인을 실리콘 관통 TSV 기술의 성숙도 부족으로 지적하고 있습니다. Nomad Semi 분석에 따르면, 삼성 HBM2는 칩당 TSV가 5000개를 초과하고, SK 하이닉스 HBM3는 8000개를 초과하며, 장신 저장은 약 3000개입니다. 삼성, SK 하이닉스와는 4~5년의 격차가 있습니다.