良率

朝鮮日報の報道によると、中国最大のDRAMメーカーである長鑫存儲（CXMT）は、第四世代の高帯域幅メモリHBM3の試験生産を開始しました。初期の良品率は25%で、量産のゴールデン良品率80%の約三分の一です。SKハイニックスは2022年から同様の製品を量産しており、良品率は90%を超えています。長鑫存儲のHBM3 8層スタッキング製品の前工程の良品率は約30%、後工程では約70%が最終良品となります。同社は少量のサンプルをアリババの平頭哥や寒武紀などの中国企業に供給し、良品率の改善を続けています。G4（17ナノメートル級）プロセスの一般的なDRAMには大きな問題はありませんが、HBM用のDRAMチップは面積が大きく、電気仕様がより厳格です。業界はその原因をシリコン貫通孔TSV技術の成熟度不足に指摘しています。Nomad Semiの分析によると、サムスンのHBM2は1チップあたり5000個以上のTSVを持ち、SKハイニックスのHBM3は8000個以上、長鑫存儲は約3000個です。サムスンやSKハイニックスとの間には4年から5年の差があります。

快科技の報道によると、長鑫ストレージの17nm DDR5チップの良品率は90%を突破し、サムスンの同世代製品の92%から93%の良品率レベルと約2ポイントの差しかなく、技術指標は世界の第一梯隊に入った。複数の主要PCメーカーは年の中頃に長鑫DRAMチップの認証を完了し、一部のノートパソコンに小規模に搭載し始めた。異なるブランドの採用戦略には顕著な違いがある：デルは長鑫チップの全面的な使用を禁止；HPは中国本土市場での使用に限る；アスースとエイサーは中国本土および新興市場向けのモデルに搭載している。現在、長鑫製品が三大メモリ大手の全体市場価格に与える影響は依然として限られており、主な理由はサムスン、SKハイニックス、マイクロンが現在LPDDR5の供給を優先しているためであり、長鑫の現段階の戦略的焦点はDDR5の出荷量を拡大することにある。PC企業の幹部は、三大メーカーが世界の90%以上のDRAMシェアを占めており、大規模な採用には高度な慎重さが必要だと述べている。現在、長鑫チップを採用しているモデルの数と使用量は非常に限られている。

台湾のメディアによると、インテルの次世代先進パッケージ技術 EMIB-T は厳しい歩留まりの課題に直面しています。ABF基板サプライヤーの欣興電子（Unimicron）は、7月29日の決算電話会議で、この技術は「まだ成熟していない」と述べ、3社のEMIB-T基板サプライヤー（欣興、揖斐電、新光電気）の2027年末の初回量産段階における歩留まり目標はわずか 50% であると報告しました。EMIB-Tはインテルが台積電のCoWoS-Lに対抗するための先進パッケージソリューションであり、シリコンブリッジを基板に直接埋め込む点が特徴で、シリコン中間層を使用しないため、基板サプライヤーが成功の鍵を握る重要な役割を果たします。グーグルの第9世代TPUは、2028年に量産される際にEMIB-Tパッケージを採用することが決定しており、メディアテックがチップの協調設計を担当しています。このチップが成功裏に量産されれば、出荷量はNVIDIAに挑戦する可能性があります。欣興電子は、顧客（インテル）が利益保証メカニズムを提供しており、たとえ歩留まりが良くなくてもサプライヤーが利益を確保できると述べ、50%の歩留まり目標を達成した後の利益率は会社の平均水準を上回るとしています。現在、EMIB-Tが2027年末までに量産目標を達成できるかどうかには大きな不確実性が残っています。