サムスン電子、平沢P5工場の拡張を三層ウェーハ工場に進める

東亜日報の報道によると、サムスン電子は京畿道平沢半導体事業場の核心プロジェクトP5 1·2工場（Fab 5·6）を、従来の二層ウェハ工場から三層ウェハ工場に拡張する計画を立てており、これは世界的な人工知能半導体およびメモリのスーパーサイクルに対応し、最大限に生産能力を向上させるためです。サムスン電子は最近、産業団地計画の変更案を提出し、容積率を350%から最高490%に引き上げることを提案しています。この変更は、京畿道知事の審査を経て、国土交通部の産業選定政策審議委員会の承認を受けて最終的に決定される必要があります。

平沢P5 1·2工場は、単一基準の下で世界最大規模の半導体工場であり、2022年に着工し、2030年の完成を目指しています。高帯域幅メモリ（HBM）、高性能DRAM、次世代V-NANDおよび先進的な受託生産品を生産する予定です。現在稼働中の平沢P4は、単一棟に4つのクリーンルームを持つ二層構造ですが、変更が承認されれば、P5は最大6つのクリーンルームを配置し、クリーンルームの数と生産能力は約1.5倍に向上する見込みです。SKハイニックスも龍仁半導体クラスターの新しいウェハ工場をすべて三層構造で建設する計画です。

市場機関Counterpoint Researchは、世界のメモリ市場規模が昨年の約360兆ウォンから今年は1500兆ウォン、来年は2100兆ウォンに増加する見込みであると予測しています。電力、水の使用、土地の取得がますます困難になる中で、容積率を高めて三層ウェハ工場を建設することは、限られた空間の物理的制約を突破し、既存の半導体産業エコシステムに依存する重要な道となっています。