삼성이 엔비디아를 위해 8층 HBM4E를 개발하고 있다

한국 언론 보도에 따르면, 삼성전자는 엔비디아(NVDA.O)의 요청에 따라 8층 제7세대 고대역폭 메모리(HBM4E)를 개발하고 있으며, 원래 계획된 12층, 16층 안보다 스택 높이를 상당히 낮추었습니다. 엔비디아가 제시한 속도 사양은 17-18Gbps로, 삼성 초기 HBM4E 14.4Gbps 샘플 속도보다 약 20% 높습니다. 이 제품은 NVHBM에 사용될 것으로 보도되고 있습니다.