長江存儲は2026年末にLPDDR5の試作を行い、長鑫はNAND市場に進出する予定です。

世界的なメモリ不足が続いており、AIおよびクラウドアプリケーションがDRAMとNANDフラッシュの需要と価格を押し上げています。中国の二大メモリメーカーである長江存儲と長鑫存儲は、それぞれ半分の市場を占める状況を打破するでしょう。

長江存儲はLPDDR5 DRAMに進出し、2026年末に試産を開始します。長鑫存儲はDRAMからNANDフラッシュに進出する予定です。業界では、両社が最速で2028年に直接対決するとの予測があります。長江存儲はXtacking技術を用いて294層の3D NANDの開発を完了し、三星は2025年にその特許ライセンス契約を結び、第10世代V-NANDから関連特許を採用します。

長江存儲の三期計画は2026年末に稼働を開始し、初期には約2.5万枚のDRAM生産能力を持ち、2027年には生産を拡大し、LPDDR5を目指します。また、今後の生産拡大やHBM、3D DRAMの計画もあります。長鑫は北京にNANDの研究開発生産ラインを設置するとの情報があり、最速で2028年から2029年に量産を開始する見込みです。