長鑫ストレージは北京に2つ目のDRAMウェハ工場を建設することを検討しており、資金調達の支援を交渉中です。

ロイター通信によると、関係者は、長鑫存储が北京亦庄に2つ目の12インチDRAMウェハ工場を建設することを検討しており、北京経済技術開発区および複数の国有テクノロジー企業と資金調達の交渉を行っていると述べています。会社は少なくとも6,000万元人民元（約890万ドル）の支援を求めていますが、交渉はまだ初期段階にあり、資金調達の規模と構造は調整される可能性があります。

建設予定の工場は、長鑫存储が現在運営している北京のDRAMウェハ工場の所在地に位置します。プロジェクトの計画された生産能力と総投資額はまだ確定しておらず、先進的なDRAMを生産するウェハ工場の建設には通常100億ドル以上が必要です。現在、長鑫存储は合肥で2つ、北京で1つの12インチDRAMウェハ工場を運営しており、それぞれの月間生産能力は約10万枚です。長鑫存储はまた、上海と合肥に新工場を建設中で、関連プロジェクトが全面的に稼働すれば、会社の月間生産能力は倍増し、60万枚を超える可能性があります。

今回の生産拡大は、AIインフラ、データセンター、消費電子機器の需要がストレージチップを上昇サイクルに導いている時期に行われています。会社は先月、86億ドルのIPOを完了し、中国本土で最大規模の半導体企業の上場資金調達を実現しました。上場後、株価は13%上昇しています。長鑫存储は現在、世界で4番目に大きなDRAMメーカーですが、サムスン電子、SKハイニックス、マイクロンは第1四半期において依然として世界市場の約90%を占めています。北京と上海も長鑫存储に資金およびその他の支援を提供しており、同社の拡張による経済的および戦略的利益を得ようとしています。